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1. (WO2009084584) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084584    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073592
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 25.12.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.06.2009    
CIB :
H01L 21/368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (Tous Sauf US).
OHE, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMIJIMA, Miki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHE, Takahiro; (JP).
KIMIJIMA, Miki; (JP)
Mandataire : IWASAKI, Sachikuni; c/o Miyoshi International Patent Office Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-335882 27.12.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE
(JA) 半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for forming a semiconductor thin film, by which the semiconductor thin film wherein mobility deterioration due to heat and characteristic deterioration due to the mobility deterioration can be suppressed and heat resistance is improved can be obtained by more simple steps. A solution wherein a plurality of kinds of organic materials, including an organic semiconductor material, are mixed is applied or printed on a substrate and a thin film is formed. Then, a plurality of kinds of the organic materials are phase-separated in a step of drying the thin film. Thus, a semiconductor thin film (1) having a lamination structure wherein an intermediate layer (b) composed of an organic insulating material is sandwiched between two semiconductor layers (a, a') is obtained.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'une couche mince de semi-conducteur qui permet d'obtenir par des étapes plus simples une couche mince de semi-conducteur, dans laquelle une détérioration de mobilité due à la chaleur et une détérioration de caractéristiques due à la détérioration de mobilité, peuvent être supprimées et une résistance thermique est améliorée. Une solution dans laquelle une pluralité de types de matériaux organiques, incluant un matériau semi-conducteur organique, sont mélangés, est appliquée ou imprimée sur un substrat, et une couche mince est formée. Ensuite, les phases d'une pluralité de types des matériaux organiques sont séparées dans une étape de séchage de la couche mince. Ainsi, une couche mince de semi-conducteur (1), présentant une structure stratifiée dans laquelle une couche intermédiaire (b), composée d'un matériau isolant organique, est prise en sandwich entre deux couches semi-conductrices (a, a'), est obtenue.
(JA) 加熱による移動度の低下とこれによる特性劣化を抑制可能で、耐熱性の向上が図られた半導体薄膜をより簡便な手順によって得ることが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。有機半導体材料を含む複数種類の有機材料を混合した溶液を基板上に塗布または印刷して薄膜を形成し、薄膜を乾燥させる過程で複数種類の有機材料を相分離させる。これにより、2層の半導体層a,a’間に有機絶縁性材料からなる中間層bが挟持された積層構造の半導体薄膜1を得る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)