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1. (WO2009084537) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE MINCE D'UN OXYDE AMORPHE D'INDIUM-GALLIUM-ZINC (A-IGZO)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084537    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073439
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 24.12.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.06.2009    
CIB :
C23C 14/08 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (Tous Sauf US).
IKUSAWA, Masakatsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAHAGI, Masataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IKUSAWA, Masakatsu; (JP).
YAHAGI, Masataka; (JP)
Mandataire : AXIS Patent Internationl; Yushi Kogyo Kaikan 13-11, Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030027 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-336398 27.12.2007 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING THIN FILM OF A-IGZO OXIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE MINCE D'UN OXYDE AMORPHE D'INDIUM-GALLIUM-ZINC (A-IGZO)
(JA) a-IGZO酸化物薄膜の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a process for producing a thin film of an a-IGZO oxide that, in a sputtering method, can bring the carrier concentration of the film to a predetermined value with good reproducibility. The process is a process for producing a thin film of an amorphous In-Ga-Zn-O-based oxide and comprises forming a film on a substrate by direct current sputtering at a sputter power density of 2.5 to 5.5 W/cm2 using a sputtering target of an oxide sintered compact that is composed mainly of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O), has an atomic ratio of indium to the total amount of indium and gallium, i.e., [In]/([In] + [Ga]), of 20% to 80%, an atomic ratio of zinc to the total amount of indium, gallium, and zinc, i.e., [Zn]/([In] + [Ga] + [Zn]), of 10% to 50%, and has a specific resistance of not more than 1.0 × 10-1 Ωcm.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'une couche mince d'un oxyde d'a-IGZO qui, dans un procédé de pulvérisation cathodique, peut amener la concentration en charge de la couche à une valeur prédéterminée avec une bonne reproductibilité. Le procédé permet la production d'une couche mince d'un oxyde amorphe à base de In-Ga-Zn-O et comprend la formation d'un film sur un substrat par pulvérisation cathodique sous courant continu à une densité de puissance de pulvérisation cathodique de 2,5 à 5,5 W/cm2 à l'aide d'une cible de pulvérisation cathodique d'une briquette frittée d'oxyde qui est principalement composée d'indium (In), de gallium (Ga), de zinc (Zn) et d'oxygène (O), qui présente un rapport atomique de l'indium à la quantité totale d'indium et de gallium, à savoir, [In]/([In] + [Ga]), de 20 % à 80 %, un rapport atomique du zinc à la quantité totale d'indium, de gallium et de zinc, à savoir, [Zn]/([In] + [Ga] + [Zn]), de 10 % à 50 % et présente une résistance spécifique n'étant pas supérieure à 1,0 × 10-1 Ωcm.
(JA)スパッタリング法において、膜キャリア濃度を再現性良く所定の値とすることができるようなa-IGZO酸化物薄膜の製造方法を提供する。主としてインジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)及び酸素(O)を構成元素とし、インジウムとガリウムの合量に対するインジウムの原子数比[In]/([In]+[Ga])が20%~80%、インジウムとガリウムと亜鉛の合量に対する亜鉛の原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])が10%~50%であり、比抵抗が1.0×10-1Ωcm以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いて、スパッタパワー密度を2.5~5.5W/cm2として基板上に直流スパッタ成膜することを含む非晶質In-Ga-Zn-O系酸化物薄膜の製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)