WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009084467) DISPOSITIF DE PILOTAGE DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL D'IMAGERIE ÉQUIPÉ DE CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084467    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073150
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 15.12.2008
CIB :
H01S 5/0683 (2006.01)
Déposants : RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo, 1438555 (JP) (Tous Sauf US).
KAMATANI, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAMATANI, Tomohiko; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo, 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-339677 28.12.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DRIVING DEVICE AND IMAGE FORMING APPARATUS HAVING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE PILOTAGE DE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL D'IMAGERIE ÉQUIPÉ DE CE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser driving device and an image forming apparatus are disclosed that are capable of accurately detecting the deterioration of the semiconductor laser with a smaller circuit size and regardless of the variation of the characteristics of the semiconductor laser and the use conditions of the semiconductor laser by adding a minimum circuit are disclosed. In the semiconductor laser driving device, the output voltage generated by an operational amplifier circuit by amplifying a voltage difference between a monitoring voltage (Vm) and a predetermined reference voltage (Vref) is transmitted to a bias current generating circuit unit as a bias current setting voltage (Vbi) through a sample/hold circuit having a switch (SW1) and a sample/hold capacitor (Csh). When the bias current setting voltage (Vbi) is greater than a predetermined voltage, a deterioration detecting circuit transmits a deterioration detecting signal indicating that the deterioration of the semiconductor laser is detected.
(FR)L'invention concerne un dispositif de pilotage de laser à semi-conducteur et un appareil d'imagerie qui sont capables de détecter avec précision la détérioration du laser à semi-conducteur avec un circuit de plus petite taille et quelles que soient la variation des caractéristiques et les conditions d'utilisation du laser à semi-conducteur, par l'ajout d'un circuit minimum. Dans le dispositif de pilotage de laser à semi-conducteur, la tension de sortie générée par un circuit d'amplificateur opérationnel par l'amplification d'une différence de tension entre une tension de surveillance (Vm) et une tension de référence prédéterminée (Vref) est transmise à un module de circuit générateur de courant de polarisation en tant que tension de réglage du courant de polarisation (Vbi) via un circuit d'échantillonnage et de maintien comportant un commutateur (SW1) et un condensateur d'échantillonnage et de maintien (Csh). Lorsque la tension de réglage du courant de polarisation (Vbi) est supérieure à une tension prédéterminée, un circuit de détection de détérioration transmet un signal de détection de détérioration indiquant que la détérioration du laser à semi-conducteur est détectée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)