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1. (WO2009084397) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084397    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/072517
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 11.12.2008
CIB :
H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01)
Déposants : DOWA Electronics Materials Co., Ltd. [JP/JP]; 4-14-1, Sotokanda, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP) (Tous Sauf US).
KADOWAKI, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OOSHIKA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOYOTA, Tatsunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KADOWAKI, Yoshitaka; (JP).
OOSHIKA, Yoshikazu; (JP).
TOYOTA, Tatsunori; (JP)
Mandataire : SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West 3-2-1, Kasumigaseki Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-340686 28.12.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor light emitting element, which has a buffer layer formed on a semiconductor substrate as needed, a semiconductor layer formed by laminating an n-type or p-type lower semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type or n-type upper semiconductor layer, and has high light emitting efficiency to a specific wavelength. Specifically, a semiconductor layer (30) is formed on a semiconductor substrate (10) directly or with a buffer layer (20) in between as needed. The semiconductor light emitting element does not require a reflection layer which is formed in conventional semiconductor light emitting elements, has a property of exhibiting a reflectance of 60% or more to a wavelength of 200-350nm, and permits the semiconductor substrate (10) to function as the reflection layer.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur qui possède une couche tampon formée sur un substrat semi-conducteur si nécessaire, une couche semi-conductrice formée en laminant une couche semi-conductrice inférieure de type n ou de type p, une couche électroluminescente et une couche semi-conductrice supérieure de type n ou de type p et qui présente un rendement d'émission de lumière élevé vers une longueur d'onde spécifique. Plus particulièrement, une couche semi-conductrice (30) est formée sur un substrat semi-conducteur (10), directement ou avec une couche tampon (20) entre si nécessaire. L'élément électroluminescent semi-conducteur n'exige pas de couche réfléchissante qui est formée sur des éléments électroluminescents semi-conducteurs traditionnels, possède la propriété de présenter un facteur de réflexion de 60 % ou plus vers une longueur d'onde de 200 à 350 nm et permet au substrat semi-conducteur (10) de jouer le rôle de couche réfléchissante.
(JA) 半導体基板上に、必要に応じて緩衝層を形成し、n型又はp型の下側半導体層と、発光層と、p型又はn型の上側半導体層とを積層してなる半導体層を持つ半導体発光素子において、特定の波長に対して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供することにあり、半導体基板10上に、直接又は必要に応じて緩衝層20を介して、半導体層30を形成してなる半導体発光素子であって、通常の半導体発光素子には形成される反射層を必要とせず、波長200~350nmに対する反射率が60%以上である物性を有し、前記半導体基板10が反射層としての機能を兼ねることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)