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1. (WO2009084309) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR FABRIQUÉ À L'AIDE DU PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084309    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/069017
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 21.10.2008
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEI, Michiko; (US Seulement).
MATSUMOTO, Shin; (US Seulement).
FUKUSHIMA, Yasumori; (US Seulement).
TAKAFUJI, Yutaka; (US Seulement)
Inventeurs : TAKEI, Michiko; .
MATSUMOTO, Shin; .
FUKUSHIMA, Yasumori; .
TAKAFUJI, Yutaka;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-338328 27.12.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR FABRIQUÉ À L'AIDE DU PROCÉDÉ
(JA) 半導体装置の製造方法、および当該製造方法によって作製される半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step wherein a release layer (10) is formed in a transfer member (6) by injecting a release layer-forming material into the transfer member (6) for preventing formation of bubbles at the transfer interface, a step wherein a planar surface is formed by planarizing the surface of the transfer member (6), a step wherein a composite body including the transfer member (6) and a glass substrate (2) is formed by directly bonding the transfer member (6) to a surface of the glass substrate (2) so that the planar surface is in contact with the substrate, and a step wherein the composite body is subjected to a heat treatment for separating a part of the transfer member (6) from the composite body at the release layer (10) functioning as an interface.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, lequel procédé comprend une étape au cours de laquelle une couche de libération (10) est formée dans un élément de transfert (6) en injectant un matériau de formation de couche de libération dans l'élément de transfert (6), afin d'empêcher la formation de bulles sur l'interface de transfert ; une étape au cours de laquelle une surface plane est formée en aplanissant la surface de l'élément de transfert (6) ; une étape au cours de laquelle un corps composite incluant l'élément de transfert (6) et un substrat de verre (2) est formé en liant directement l'élément de transfert (6) à une surface du substrat de verre (2), de manière à ce que la surface plane soit en contact avec le substrat ; et une étape au cours de laquelle le corps composite est soumis à un traitement thermique pour séparer une partie de l'élément de transfert (6) du corps composite sur la couche de libération (10) faisant office d'interface.
(JA) 転写界面にバブルが発生することを防止するために、転写物(6)に剥離層形成物質を注入することによって、転写物(6)内に剥離層(10)を形成する工程と、転写物(6)の表面を平坦化することによって、平坦面を形成する工程と、転写物(6)を、平坦面を介して、ガラス基板(2)の表面に直接貼り付けることによって、転写物(6)とガラス基板(2)とを含む複合体を形成する工程と、複合体に熱処理を加えることによって、剥離層(10)を界面として、複合体から転写物(6)の一部を剥離する工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)