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1. (WO2009084301) INTERPOSEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'INTERPOSEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084301    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/068383
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 09.10.2008
CIB :
H01L 23/32 (2006.01)
Déposants : IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome, Ogaki-shi, Gifu 5038604 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAMOTO, Hajime [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FURUTANI, Toshiki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SEGAWA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAMOTO, Hajime; (JP).
FURUTANI, Toshiki; (JP).
SEGAWA, Hiroshi; (JP)
Mandataire : YASUTOMI, Yasuo; MT-2 BLDG., 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
Données relatives à la priorité :
61/017,430 28.12.2007 US
61/038,949 24.03.2008 US
Titre (EN) INTERPOSER AND INTERPOSER MANUFACTURING METHOD
(FR) INTERPOSEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'INTERPOSEUR
(JA) インターポーザー及びインターポーザーの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an interposer which suitably relaxes stress concentration of a via conductor and the like to a conductor section, even when a semiconductor element generated heat. The interposer is provided with at least one inorganic insulating layer; a first wiring formed inside or on the surface of the inorganic insulating layer; at least one organic insulating layer formed on the inorganic insulating layer and the first wiring on the outermost layer; a second wiring formed on the surface of the inorganic insulating layer; and a conductor section which connects the first wiring and the second wiring.
(FR)La présente invention a trait à un interposeur qui relâche de façon appropriée la concentration de contraintes d'un conducteur traversant et similaire sur une partie de conducteur, y compris lorsqu'un élément à semi-conducteur a généré de la chaleur. L'interposeur est équipé d'au moins une couche isolante inorganique ; d'un premier câblage formé à l'intérieur ou sur la surface de la couche isolante inorganique ; d'au moins une couche isolante organique formée sur la couche isolante inorganique et le premier câblage sur la couche la plus à l'extérieur ; d'un second câblage formé sur la surface de la couche isolante inorganique ; et d'une partie de conducteur qui connecte le premier câblage et le second câblage.
(JA)本発明は、半導体素子が発熱した際においても、ビア導体等の導体部への応力集中を好適に緩和させることが可能なインターポーザーを提供することを目的とするものであり、本発明のインターポーザーは、少なくとも1層の無機絶縁層と、上記無機絶縁層の内部又は表面上に形成されてなる第1配線と、最外層の無機絶縁層上及び上記第1配線上に形成されてなる、少なくとも1層の有機絶縁層と、上記有機絶縁層の表面上に形成されてなる第2配線と、上記第1配線と上記第2配線とを接続する導体部とからなることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)