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1. (WO2009084241) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084241    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/004040
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 26.12.2008
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (Tous Sauf US).
TAKADA, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMANAKA, Sadanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKADA, Tomoyuki; (JP).
YAMANAKA, Sadanori; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
Mandataire : HAYASHI, Shigenori; 5F, Shinjuku Square Tower 22-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1631105 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-341290 28.12.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)A high-quality GaAs crystal thin film is obtained by using a low-cost Si substrate having excellent heat dissipation characteristics. Specifically disclosed is a semiconductor substrate comprising an Si substrate, an inhibition layer formed on the substrate and inhibiting crystal growth, in which inhibition layer there are a covering region covering a part of the substrate and an opening region formed within the covering region and not covering the substrate, a Ge layer crystal-grwon in the opening region, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a P-containing group 3-5 compound semiconductor layer, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer. In the semiconductor substrate, the Ge layer may be formed by annealing which is performed at such a temperature for such a time that crystal defects can move.
(FR)Une couche mince cristalline de GaAs de grande qualité est obtenue à l'aide d'un substrat de Si à faible coût doté d'excellentes caractéristiques de dissipation thermique. De façon spécifique, la présente invention a trait à un substrat semi-conducteur comprenant un substrat de Si, une couche d'inhibition formée sur le substrat et inhibant la croissance des cristaux, laquelle couche d'inhibition comprend une zone de revêtement recouvrant une partie du substrat et une zone d'ouverture formée à l'intérieur de la zone de revêtement et ne recouvrant pas le substrat, une couche de Ge ayant été soumise à une croissance des cristaux dans la zone d'ouverture, une couche tampon ayant été soumise à une croissance des cristaux sur la couche de Ge et composée d'une couche semi-conductrice de composé de groupe 3-5 contenant P, et une couche fonctionnelle ayant été soumise à une croissance des cristaux sur la couche tampon. Dans le substrat semi-conducteur, la couche de Ge peut être formée par recuit, celui-ci étant effectué à une température et pendant une durée telles que les défauts des cristaux peuvent se déplacer.
(JA) 安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。Siの基板と、基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、基板の一部を覆う被覆領域と、被覆領域の内部に基板を覆わない開口領域とを有し、さらに開口領域に結晶成長されたGe層と、Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。当該半導体基板において、Ge層は、結晶欠陥が移動できる温度および時間でアニールされることにより形成されてよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)