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1. (WO2009084239) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084239    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/004038
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 26.12.2008
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (Tous Sauf US).
TAKADA, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMANAKA, Sadanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKADA, Tomoyuki; (JP).
YAMANAKA, Sadanori; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
Mandataire : HAYASHI, Shigenori; 5F, Shinjuku Square Tower 22-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1631105 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-341295 28.12.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)A high-quality GaAs crystal thin film is obtained by using a low-cost Si substrate having excellent heat dissipation characteristics. Specifically disclosed is a semiconductor substrate comprising an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a P-containing group 3-5 compound semiconductor layer, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer. The Ge layer is formed into an island shape which does not exceed twice the distance which crystal defects move when annealed at the annealing temperature and in the annealing time. Alternatively, the Ge layer is formed into an island shape which does not cause separation due to a stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the Ge layer and the Si substrate when annealed at the annealing temperature.
(FR)Une couche mince cristalline de GaAs de grande qualité est obtenue à l'aide d'un substrat de Si à faible coût doté d'excellentes caractéristiques de dissipation thermique. De façon spécifique, la présente invention a trait à un substrat semi-conducteur comprenant un substrat de Si, une couche de Ge ayant été soumise à une croissance des cristaux sur le substrat et se présentant sous une forme d'îlot isolé, une couche tampon ayant été soumise à une croissance des cristaux sur la couche de Ge et composée d'une couche semi-conductrice de composé de groupe 3-5 contenant P, et une couche fonctionnelle ayant été soumise à une croissance des cristaux sur la couche tampon. La couche de Ge est conçue sous une forme d'îlot qui n'excède pas deux fois la distance sur laquelle les défauts des cristaux se déplacent lors du recuit à la température de recuit et pendant la durée du recuit. En variante, la couche de Ge est conçue sous forme d'îlot qui n'entraîne pas de séparation due à une contrainte causée par une différence de coefficient de dilatation thermique entre la couche de Ge et le substrat de Si lors du recuit à la température de recuit.
(JA) 安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。Siの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたGe層と、Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。Ge層は、アニールした場合に、アニールの温度および時間において結晶欠陥が移動する距離の2倍を越えない大きさの島状に形成する。あるいはGe層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるSiとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)