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1. (WO2009084206) DISPOSITIF MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084206    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/003968
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 25.12.2008
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
KUNIYA, Takuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOMORI, Yosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATSUMATA, Ryota [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUZUMI, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITO, Masaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIDOH, Masaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Hiroyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIDUKI, Megumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AOCHI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUNIYA, Takuji; (JP).
KOMORI, Yosuke; (JP).
KATSUMATA, Ryota; (JP).
FUKUZUMI, Yoshiaki; (JP).
KITO, Masaru; (JP).
KIDOH, Masaru; (JP).
TANAKA, Hiroyasu; (JP).
ISHIDUKI, Megumi; (JP).
AOCHI, Hideaki; (JP)
Mandataire : HYUGAJI, Masahiko; Kannai ST Bldg., 4-1, Onoe-cho 1-chome, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, 2310015 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-336612 27.12.2007 JP
2008-177988 08.07.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A laminated body is formed by alternately laminating a plurality of dielectric films and electrode films on a silicon substrate. Next, a through hole extending in the lamination direction is formed in the laminated body. Next, a selective nitridation process is performed to selectively form a charge layer made of silicon nitride in a region of an inner surface of the through hole corresponding to the electrode film. Next, a high-pressure oxidation process is performed to form a block layer made of silicon oxide between the charge layer and the electrode film. Next, a tunnel layer made of silicon oxide is formed on an inner side surface of the through hole. Thus, a flash memory can be manufactured in which the charge layer is split for each electrode film.
(FR)Selon l'invention, un corps stratifié est formé par stratification alternée d'une pluralité de films diélectriques et de films d'électrode sur un substrat en silicium. Ensuite, un trou traversant s'étendant dans la direction de stratification est formé dans le corps stratifié. Ensuite, un traitement de nitruration sélective est effectué pour former sélectivement une couche de charge faite de nitrure de silicium dans une région d'une surface interne du trou traversant correspondant au film d'électrode. Ensuite, un traitement d'oxydation sous pression élevée est effectué pour former une couche de blocage faite d'oxyde de silicium entre la couche de charge et le film d'électrode. Ensuite, une couche tunnel faite d'oxyde de silicium est formée sur une surface latérale interne du trou traversant. Ainsi, il est possible de fabriquer une mémoire flash dans laquelle la couche de charge est scindée pour chaque film d'électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)