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1. (WO2009084194) PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR FILM MÉTALLIQUE ET FILM D'OXYDE MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084194    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/003946
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 25.12.2008
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
NISHIZUKA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Masaji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHIZUKA, Tetsuya; (JP).
INOUE, Masaji; (JP)
Mandataire : MASUTANI, Tsuyoshi; Room 401, 17-3, Minamiaoyama 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070062 (JP)
Données relatives à la priorité :
61/009,502 28.12.2007 US
Titre (EN) ETCHING METHOD FOR METAL FILM AND METAL OXIDE FILM, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR FILM MÉTALLIQUE ET FILM D'OXYDE MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An etching method for a metal film formed on an insulating film and a metal oxide film formed on the metal film includes the step of etching the metal film and the metal oxide film in a gas including nitrogen (N2) and any one of chlorine (Cl2) and hydrogen bromine (HBr). The metal film is selected from the group consisting of titanium (Ti), tantalum (Ta), hafnium (Hf), zirconium (Zr) and aluminum (Al). The gas includes not less than 50% of the nitrogen (N2) to a total flow rate of the gas.
(FR)L'invention porte sur un procédé de gravure pour un film métallique formé sur un film isolant et un film d'oxyde métallique formé sur le film métallique, lequel procédé consiste à graver le film métallique et le film d'oxyde métallique dans un gaz contenant de l'azote (N2) et l'un ou l'autre du chlore (Cl2) et du bromure d'hydrogène (HBr). Le film métallique est sélectionné dans le groupe constitué par le titane (Ti), le tantale (Ta), l'hafnium (Hf), le zirconium (Zr) et l'aluminium (Al). Le gaz ne contient pas moins de 50 % d'azote (N2) dans un débit total du gaz.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)