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1. (WO2009084172) DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084172    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/003844
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 18.12.2008
CIB :
H01L 35/32 (2006.01), H02N 11/00 (2006.01)
Déposants : DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; Umeda Center Bldg., 4-12, Nakazaki-nishi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308323 (JP) (Tous Sauf US).
TERAKI, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TERAKI, Junichi; (JP)
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-336128 27.12.2007 JP
Titre (EN) THERMOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
(JA) 熱電素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a thermoelectric device comprising a first insulating substrate (A) and a second insulating substrate (B) stacked one on the other. The thermoelectric device also comprises a first electrode (2b) formed on the upper side of the first insulating substrate (A), a pair of second electrodes (3c, 4c) respectively formed on both sides of the first insulating substrate (A) and connected with each other by means of a through hole (7), and a thermoelectric thin film (5b) formed in contact with the first electrode (2b) and the second electrode (3c). The thermoelectric device further comprises a pair of third electrodes (8b, 9b) respectively formed on both sides of the second insulating substrate (B) and connected with each other by means of a through hole (10). One of the third electrodes (8b, 9b) is connected with the first electrode (2b).
(FR)L'invention porte sur un dispositif thermoélectrique comprenant un premier substrat isolant (A) et un second substrat isolant (B) empilés l'un sur l'autre. Le dispositif thermoélectrique comprend également une première électrode (2b) formée sur le côté supérieur du premier substrat isolant (A), une paire de deuxièmes électrodes (3c, 4c) respectivement formées sur les deux côtés du premier substrat isolant (A) et connectées l'une à l'autre au moyen d'un trou traversant (7), et un film mince thermoélectrique (5b) formé en contact avec la première électrode (2b) et la deuxième électrode (3c). Le dispositif thermoélectrique comprend en outre une paire de troisièmes électrodes (8b, 9b) respectivement formées sur les deux côtés du second substrat isolant (B) et connectées l'une à l'autre au moyen d'un trou traversant (10). L'une des troisièmes électrodes (8b, 9b) est connectée à la première électrode (2b).
(JA) 互いに積層された第1絶縁性基板(A)と第2絶縁性基板(B)を備えている。第1絶縁性基板(A)の上面に形成された第1電極(2b)と、その両面に形成されスルーホール(7)で接続された一対の第2電極(3c,4c)と、第1電極(2b)と第2電極(3c)とに接するように薄膜形成された熱電材料(5b)とを備えている。さらに、第2絶縁性基板(B)の両面に形成され、スルーホール(10)で接続されると共に、一方が第1電極(2b)に接続された一対の第3電極(8b,9b)とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)