WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009084149) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084149    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/003463
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 25.11.2008
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
TADA, Kenshi; (US Seulement).
TAKAFUJI, Yutaka; (US Seulement).
FUKUSHIMA, Yasumori; (US Seulement).
TOMIYASU, Kazuhide; (US Seulement).
TAKEI, Michiko; (US Seulement).
NAKAGAWA, Kazuo; (US Seulement).
MATSUMOTO, Shin; (US Seulement)
Inventeurs : TADA, Kenshi; .
TAKAFUJI, Yutaka; .
FUKUSHIMA, Yasumori; .
TOMIYASU, Kazuhide; .
TAKEI, Michiko; .
NAKAGAWA, Kazuo; .
MATSUMOTO, Shin;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-341077 28.12.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, wherein a device portion-forming step includes an insulating film-forming step wherein an insulating film is formed on the surface of a base layer, a conductive layer-forming step wherein a conductive layer is uniformly formed on the surface of the insulating film, and an electrode-forming step wherein an electrode is formed by patterning the conductive layer. A release layer-forming step, wherein a release layer is formed by ion implantation of a release material into the base layer, is performed before the electrode-forming step.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, dans lequel une étape de formation de partie de dispositif inclut une étape de formation de film isolant au cours de laquelle un film isolant est formé sur la surface d'une couche de base, une étape de formation de couche conductrice au cours de laquelle une couche conductrice est uniformément formée sur la surface du film isolant, et une étape de formation d'électrode au cours de laquelle une électrode est formée en réalisant des motifs sur la couche conductrice. Une étape de formation de couche de libération, au cours de laquelle une couche de libération est formée par implantation ionique d'un matériau de libération dans la couche de base, est effectuée avant l'étape de formation d'électrode.
(JA) デバイス部形成工程には、基体層の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜の表面に導電層を一様に形成する導電層形成工程と、導電層をパターニングすることにより電極を形成する電極形成工程とが含まれる。そして、基体層に対し、剥離用物質をイオン注入して剥離層を形成する剥離層形成工程は、電極形成工程の前に行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)