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1. (WO2009084125) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084125    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/001981
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 24.07.2008
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
TOMIYASU, Kazuhide; (US Seulement).
TAKAFUJI, Yutaka; (US Seulement).
FUKUSHIMA, Yasumori; (US Seulement).
NAKAGAWA, Kazuo; (US Seulement)
Inventeurs : TOMIYASU, Kazuhide; .
TAKAFUJI, Yutaka; .
FUKUSHIMA, Yasumori; .
NAKAGAWA, Kazuo;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 541-0053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-336836 27.12.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, which has a thin film device section having a TFT and a peripheral device section arranged at the periphery of the thin film device section with a semiconductor element. The method is provided with a first step of preparing a substrate, a second step of directly bonding the peripheral device on the substrate, and a third step of forming the thin film device section on the substrate whereupon the peripheral device section is bonded.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur qui comprend une section de dispositif à couche mince ayant un transistor à couche mince (TFT) et une section de dispositif périphérique agencée à la périphérie de la section de dispositif à couche mince avec un élément à semiconducteur. Le procédé comprend une première étape consistant à préparer un substrat, une deuxième étape consistant à lier directement le dispositif périphérique sur le substrat, et une troisième étape consistant à former la section de dispositif à couche mince sur le substrat sur lequel la section de dispositif périphérique est liée.
(JA) 半導体装置の製造方法は、TFTを有する薄膜デバイス部と、薄膜デバイス部の周辺に設けられ、半導体素子を有する周辺デバイス部と、を備えた半導体装置の製造方法であって、基板を準備する第1ステップと、基板上に直接周辺デバイス部を貼り合わせる第2ステップと、周辺デバイス部を貼り合わせた基板上に薄膜デバイス部を形成する第3ステップと、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)