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1. (WO2009082999) PUCE LASER À SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION PAR LA TRANCHE COMPRENANT UNE BANDE DE CONTACT STRUCTURÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/082999    N° de la demande internationale :    PCT/DE2008/002131
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 18.12.2008
CIB :
H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/16 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
KOENIG, Harald [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LAUER, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BRICK, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHMID, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FEHSE, Robin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRAUSS, Uwe [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KOENIG, Harald; (DE).
LAUER, Christian; (DE).
BRICK, Peter; (DE).
SCHMID, Wolfgang; (DE).
FEHSE, Robin; (DE).
STRAUSS, Uwe; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTGESELLSCHAFTS MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 062 788.4 27.12.2007 DE
10 2008 014 092.9 13.03.2008 DE
Titre (DE) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP MIT EINEM STRUKTURIERTEN KONTAKTSTREIFEN
(EN) EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER CHIP HAVING A STRUCTURED CONTACT STRIP
(FR) PUCE LASER À SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION PAR LA TRANCHE COMPRENANT UNE BANDE DE CONTACT STRUCTURÉE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip angegeben, mit - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird und - zumindest einem strukturierten Kontaktstreifen (2), der derart strukturiert ist, dass eine Ladungsträgerinjektion in die aktive Zone (14) zu einer Seite des Halbleiterlaserchips (1) hin abnimmt, an der sich eine Auskoppelfacette (3) des Halbleiterlaserchips (1) befindet.
(EN)The invention specifies an edge-emitting semiconductor laser chip having - an active zone (14) in which electromagnetic radiation is produced during operation of the semiconductor laser chip (1) and - at least one structured contact strip (2) which is structured in such a manner that charge carrier injection into the active zone (14) decreases towards a side of the semiconductor laser chip (1) on which a coupling-out facet (3) of the semiconductor laser chip (1) is situated.
(FR)L'invention concerne une puce laser à semi-conducteur à émission par la tranche comprenant une zone active (14) dans laquelle un rayonnement électromagnétique est généré pendant le fonctionnement de la puce laser à semi-conducteur (1), ainsi qu'au moins une bande de contact structurée (2) qui est structurée de sorte qu'une injection de porteurs de charge dans la zone active (14) diminue en allant vers le côté de la puce laser à semi-conducteur (1) où se trouve une facette de sortie (3) de la puce laser à semi-conducteur (1).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)