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1. (WO2009082982) PROCÉDÉ POUR AUGMENTER L'EFFICACITÉ LUMINEUSE D'UNE PUCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN SAPHIR À MOTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/082982    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/073822
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 29.12.2008
CIB :
H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : SHENZHEN FANGDA SEMICONDUCTOR CO., LTD [CN/CN]; Fangda Town, Long Jing Xili, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518000 (CN) (Tous Sauf US).
XIE, Xuefeng [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : XIE, Xuefeng; (CN)
Mandataire : SHENZHEN STANDARD PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Room 810-815 Yinzuo International Building No.1056 Shennan Boulevard, Futian Shenzhen, Guangdong 518040 (CN)
Données relatives à la priorité :
200710186129.6 27.12.2007 CN
Titre (EN) A METHOD OF INCREASING CHIP LUMINOUS EFFICIENCY AND A MANUFACTURING METHOD OF SAPPHIRE PATTERN SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR AUGMENTER L'EFFICACITÉ LUMINEUSE D'UNE PUCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN SAPHIR À MOTIF
(ZH) 提高芯片出光效率的方法及蓝宝石图形衬底的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A method of increasing chip luminous efficiency, which increases luminous efficiency by forming a pattern on the sapphire substrate, said pattern being columns of a diameter of 1∼10µm or a cambered surface with an underside diameter of 1∼10µm, uniformly arranged to form said pattern, column height being 0.5∼3µm, or cambered surface height being 0.5∼5µm. The method can increase luminous efficiency by more than 40%. A manufacturing method for column patterned sapphire substrate, including the steps: photolithography - masking - peeling off of mask layer - etching - etching of metal mask layer, and a manufacturing method for a cambered surface patterned sapphire substrate, including the steps: photolithography - ICP etching.
(FR)L'invention porte sur un procédé d'augmentation de l'efficacité lumineuse d'une puce qui augmente l'efficacité lumineuse en formant un motif sur le substrat en saphir, ledit motif étant un motif en colonnes d'un diamètre de 1 à environ 10 µm ou en surface cambrée d'un diamètre de côté inférieur de 1 à environ 10 µm, agencées uniformément pour former ledit motif, la hauteur des colonnes étant de 0,5 à environ 3 µm, ou la hauteur de surface cambrée étant de 0,5 à environ 5 µm. Le procédé peut augmenter l'efficacité lumineuse de plus de 40 %. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un substrat en saphir à motif en colonnes, comprenant l'étape de photolithographie-masquage-pelage de couche de masque-gravure-gravure de couche de masque métallique, et un procédé de fabrication d'un substrat en saphir à motif à surface cambrée, comprenant l'étape de photolithographie-gravure ICP.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)