WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009082780) PROCÉDÉ PERMETTANT DE DOPER SÉLECTIVEMENT UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR POUR FABRIQUER UNE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/082780    N° de la demande internationale :    PCT/AU2008/001912
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 24.12.2008
CIB :
H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : BLUE HIMMEL SOLAR PTY LTD [AU/AU]; ANU LPO Box 8256, Acton, Australian Capital Territory 8256 (AU) (Tous Sauf US).
MCCANN, Michelle [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
FATH, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MCCANN, Michelle; (AU).
FATH, Peter; (DE)
Mandataire : GRIFFITH HACK; Level 19, 109 St Georges Terrace, Perth, Western Australia 6000 (AU)
Données relatives à la priorité :
2008900013 02.01.2008 AU
Titre (EN) A METHOD OF SELECTIVELY DOPING A SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR FABRICATING A SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE DOPER SÉLECTIVEMENT UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR POUR FABRIQUER UNE CELLULE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure provides a method of selectively doping a semiconductor material for fabricating a solar cell. The method comprises forming at least one angled groove in the semiconductor material and forming a diffusion barrier on the semiconductor material. The diffusion barrier comprises a diffusion barrier material that is selected so that diffusing of a dopant material through the diffusion barrier is reduced. The method also comprises doping the semiconductor material by exposing the semiconductor material to the dopant material in a manner such that a region of the semiconductor material that is covered by the diffusion barrier has a predetermined first dopant concentration. In addition, the method comprises forming an electrical contact within the at least one angled groove after exposing the semiconductor material to the dopant material. The method is conducted so that a surface area of the semiconductor material within the at least one groove is substantially free from diffusion barrier material and has a second dopant concentration that is higher than the first dopant concentration.
(FR)La présente invention a trait à un procédé permettant de doper sélectivement un matériau semi-conducteur pour fabriquer une cellule solaire. Le procédé comprend les étapes consistant à former au moins une rainure inclinée dans le matériau semi-conducteur et à former une barrière de diffusion sur le matériau semi-conducteur. La barrière de diffusion comprend un matériau de barrière de diffusion qui est sélectionné de manière à ce que la diffusion d'un matériau dopant à travers la barrière de diffusion soit réduite. Le procédé comprend également l'étape consistant à doper le matériau semi-conducteur en exposant le matériau semi-conducteur au matériau dopant de manière à ce qu'une zone du matériau semi-conducteur qui est recouverte par la barrière de diffusion ait une première concentration prédéterminée d'atomes dopants. De plus, le procédé comprend l'étape consistant à former un contact électrique à l'intérieur de la ou des rainures inclinées après avoir exposé le matériau semi-conducteur au matériau dopant. Le procédé est effectué de manière à ce qu'une surface du matériau semi-conducteur à l'intérieur de la ou des rainures soit sensiblement dépourvu de matériau de barrière de diffusion et ait une seconde concentration d'atomes dopants qui est supérieure à la première densité d'atomes dopants.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)