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1. (WO2009082129) TRANSISTOR À FILM MINCE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/082129    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/007536
Date de publication : 02.07.2009 Date de dépôt international : 19.12.2008
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : DONGJIN SEMICHEM CO., LTD. [KR/KR]; 472-2, Gajwa-Dong, Seo-Gu, Incheon 404-205 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Ho-jin [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Byung-uk [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, We-yong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JEONG, Dae-jung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Dong-hyuk [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KANG, Sang-ook [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HONG, Moon-pyo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION [KR/KR]; Korea University, 1 5Ga Anam-Dong, Seonbuk-Gu, Seoul 136-701 (KR) (Tous Sauf US)
Inventeurs : LEE, Ho-jin; (KR).
KIM, Byung-uk; (KR).
KIM, We-yong; (KR).
JEONG, Dae-jung; (KR).
LEE, Dong-hyuk; (KR).
KANG, Sang-ook; (KR).
HONG, Moon-pyo; (KR)
Mandataire : WON, Young-ho; #407 Seongji Heights 3-cha Bldg., 642-6, Yeoksam-Dong, Gangnam-Ku, Seoul 135-717 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0135486 21.12.2007 KR
Titre (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR PREPARING THEREOF
(FR) TRANSISTOR À FILM MINCE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an organic thin film transistor and a method for preparation thereof. Particularly, the present invention relates to an organic thin film transistor which comprises an organic buffer layer formed between an organic semiconductor layer and source/drain electrodes by electrochemical coating, thus improving interfacial properties between the organic semiconductor layer and source/drain electrodes, and increasing capability of carrier injection from source/drain electrodes to organic semiconductor layer, thereby improving electrical performance of transistor, and a method for preparing the same.
(FR)Cette invention concerne un transistor à film mince organique et un procédé de préparation correspondant. Plus particulièrement, cette invention concerne un transistor à film mince organique comprenant une couche tampon organique formée entre une couche semi-conductrice organique et des électrodes source/drain par dépôt électrochimique, ce qui permet d'améliorer les propriétés d'interface entre la couche semi-conductrice organique et les électrodes source/drain, et d'augmenter la capacité de l'injection de porteuse depuis les électrodes source/drain vers la couche semi-conductrice organique, améliorant ainsi le rendement électrique du transistor. L'invention concerne également un procédé de préparation correspondant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)