WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009081884) AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE, PROCÉDÉ D'ATTAQUE CHIMIQUE ET LIQUIDE POUR PRÉPARER UN AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/081884    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073246
Date de publication : 02.07.2009 Date de dépôt international : 19.12.2008
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), C23F 1/38 (2006.01), C23F 1/44 (2006.01)
Déposants : WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-2, Doshomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5408605 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUDA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIKUCHI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHIDA, Ichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIRAHATA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUDA, Osamu; (JP).
KIKUCHI, Nobuyuki; (JP).
HAYASHIDA, Ichiro; (JP).
SHIRAHATA, Satoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-329530 21.12.2007 JP
Titre (EN) ETCHING AGENT, ETCHING METHOD AND LIQUID FOR PREPARING ETCHING AGENT
(FR) AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE, PROCÉDÉ D'ATTAQUE CHIMIQUE ET LIQUIDE POUR PRÉPARER UN AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE
(JA) エッチング剤、エッチング方法及びエッチング剤調製液
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an etching agent for semiconductor substrates, which is capable of etching a titanium-based (Ti-based) metal film or a tungsten-based (W-based) metal film on a semiconductor substrate. The etching agent for semiconductor substrates is composed of a solution containing (A) hydrogen peroxide, (B) a phosphonic acid chelating agent having a hydroxyl group, (C) a basic compound, and (D-1) a copper anticorrosive and/or (D-2) 0.01-3% by weight of two or more anion species other than phosphonic acid chelating agents having a hydroxyl group, which anion species have no oxidizing power.
(FR)L'invention porte sur un agent d'attaque chimique pour substrat semi-conducteur qui est capable de graver un film métallique à base de titane (Ti) ou un film métallique à base de tungstène (W) sur un substrat semi-conducteur. L'agent d'attaque chimique pour substrat semi-conducteur est composé d'une solution contenant (A) du peroxyde d'hydrogène, (B) un agent chélateur à base d'acide phosphonique ayant un groupe hydroxyle, (C) un composé basique, et (D-1) un agent anticorrosion du cuivre et/ou (D-2) 0,01 à 3 % en poids de deux espèces anioniques ou plus autres que des agents chélateurs à base d'acide phosphonique ayant un groupe hydroxyle, lesquelles espèces anioniques n'ont aucun pouvoir oxydant.
(JA) 本発明は、半導体基板上のチタン(Ti)系金属膜又はタングステン(W)系金属膜をエッチングし得る半導体基板用エッチング剤であって、(A)過酸化水素、(B)ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤及び(C)塩基性化合物と、(D−1)銅防食剤又は/及び(D−2)ヒドロキシル基を有するホスホン酸系キレート剤以外の酸化力を有さない2種以上のアニオン種0.01重量%~3重量%を含む溶液からなるものに関する発明である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)