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1. (WO2009081797) MATÉRIAU POUR LA FORMATION D'UN FILM CONTENANT DU NICKEL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/081797    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/072890
Date de publication : 02.07.2009 Date de dépôt international : 16.12.2008
CIB :
C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
HIRO, Toshitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Takamitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIRO, Toshitaka; (JP).
KOBAYASHI, Takamitsu; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES, Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-332387 25.12.2007 JP
Titre (EN) MATERIAL FOR FORMATION OF NICKEL-CONTAINING FILM, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) MATÉRIAU POUR LA FORMATION D'UN FILM CONTENANT DU NICKEL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) ニッケル含有膜形成材料およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a material for forming a nickel-containing film, which has a low melting point and therefore can be handled as a liquid, which has a high vapor pressure, which can be synthesized readily on an industrial scale, which is stable, and which can be formed into a good nickel-containing film, particularly a good nickel silicide film, readily by a CVD (chemical vapor deposition) method. The material is characterized by comprising a compound represented by formula (1). Ni(R1aC6H(5-a))(R2bC5H(5-b)) (1) wherein R1 and R2 independently represent a hydrogen atom or a group represented by formula (2); and a and b independently represent an integer of 0 to 4, and fulfill the requirement represented by the formula 0<a+b≤4 when both R1 and R2 do not represent a hydrogen atom. (2) wherein R3, R4 and R5 independently represent an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms.
(FR)L'invention porte sur un matériau destiné à la formation d'un film contenant du nickel qui possède un point de fusion peu élevé et peut par conséquent être manipulé sous forme liquide, qui possède une pression de vapeur élevée, qui peut facilement être synthétisé à l'échelle industrielle, qui est stable, et qui peut former un film contenant du nickel de bonne qualité, en particulier un film de siliciure de nickel de bonne qualité, selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur facile à mettre en oeuvre. Le matériau est caractérisé en ce qu'il comprend un composé représenté par la formule (1) Ni(R1aC6H(5-a))(R2bC5H(5-b)) (1) dans laquelle R1 et R2 représentent indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe représenté par la formule (2); et a et b représentent indépendamment un entier de 0 à 4, et remplissent les conditions représentées par la formule 0<a+b≤4 lorsque R1 et R2 ne représentent pas un atome d'hydrogène. (2) où R3, R4 et R5 représentent indépendamment un groupe alkyle renfermant de 1 à 2 atomes de carbone.
(JA) 本発明は、融点が低く液体としての取扱いが可能であり、かつ高い蒸気圧を有し、さらには工業的に合成容易で安定な、CVD(化学気相成長)法によるニッケル含有膜形成に、好適にはニッケルシリサイド膜形成において、容易に良好な膜を形成することが出来るニッケル含有膜形成材料を提供することを目的とする。本発明のニッケル膜含有形成材料は、下記式(1)の構造で示される化合物からなることを特徴とする。 ここで、R1およびR2は、各々独立に、水素原子、または下記式(2)の構造で示される基である。また、aおよびbは、それぞれ0~4の整数であり、R1およびR2が共に水素であるものを除き、aおよびbは、0<a+b≦4を満たす。 ここで、R3、R4およびR5は、各々独立に、炭素数1~2のアルキル基である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)