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1. (WO2009081725) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/081725    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/072329
Date de publication : 02.07.2009 Date de dépôt international : 09.12.2008
CIB :
C01B 33/02 (2006.01), C01B 33/037 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
FUJITA, Kenji; (US Seulement).
KAJIMOTO, Kimihiko; (US Seulement).
HOJO, Yoshiyuki; (US Seulement)
Inventeurs : FUJITA, Kenji; .
KAJIMOTO, Kimihiko; .
HOJO, Yoshiyuki;
Mandataire : NOGAWA, Shintaro; Nogawa Patent Office Minamimorimachi Park Bldg. 1-3, Nishitenma 5-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-330341 21.12.2007 JP
Titre (EN) SILICON RECLAMATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION DE SILICIUM
(JA) シリコン再生方法
Abrégé : front page image
(EN)A silicon reclamation method includes a step wherein a waste slurry or its concentration is separated into a solid and a liquid, and a solid material containing silicon particles is obtained for recovering silicon. In the waste slurry, the silicon particles are mixed with a slurry when a silicon ingot or a silicon wafer is cut or polished by using the slurry which contains abrasive grains and a coolant. The method also includes a step wherein the solid material is cleaned with a cleaning solution composed of an acid solution, and baking the solid material at a temperature of 200°C or higher but not higher than 1,000°C after cleaning.
(FR)L'invention porte sur un procédé de récupération de silicium qui comprend une étape suivant laquelle une bouillie résiduaire ou sa concentration est séparée en un solide et un liquide et une matière solide contenant des particules de silicium est obtenue pour la récupération du silicium. Dans la bouillie résiduaire, les particules de silicium sont mélangées avec une bouillie lorsqu'un lingot de silicium ou une plaquette de silicium est découpée ou polie à l'aide de la bouillie qui contient des grains abrasifs et un réfrigérant. Le procédé comprend également une étape suivant laquelle la matière solide est nettoyée par une solution de nettoyage composée d'une solution acide, et cuisson de la matière solide à une température de 200°C ou plus mais non supérieure à 1000 °C après nettoyage.
(JA) 本発明のシリコン再生方法は、砥粒とクーラントを含むスラリーを用いたシリコン塊又はシリコンウェハの切断又は研磨によって前記スラリーにシリコン屑が混入された廃スラリー又はその濃縮分を固液分離してシリコン屑を含有するシリコン回収用固形分を取得し、前記シリコン回収用固形分を酸溶液からなる洗浄液で洗浄し、前記洗浄後に200°C以上1000°C以下の温度で前記シリコン回収用固形分を焼成する工程を備えることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)