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1. (WO2009081720) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/081720    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/072276
Date de publication : 02.07.2009 Date de dépôt international : 08.12.2008
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (Tous Sauf US).
OKUUCHI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKUUCHI, Shigeru; (JP)
Mandataire : ABE, Itsurou; ABE International Patent Office, Complete Sakaimachi BLDG. 403, 9-6, Sakaimachi 1-chome, Kokurakita-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8020005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-330777 21.12.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Each pit is completely filled with a film forming component at the time of growing an epitaxial film, since a silicon oxide film on a wafer surface, including the inner surface of each pit, is removed by hydrogen fluoride gas. Thus, wafer planarity is improved and micro-roughness of the wafer surface is reduced without deteriorating productivity.
(FR)Chaque cuvette est complètement remplie par un composant filmogène au moment de la croissance d'un film épitaxial, étant donné qu'un film d'oxyde de silicium sur une surface de plaquette, incluant la surface interne de chaque cuvette, est retiré par du fluorure d'hydrogène gazeux. Ainsi, la planéité de la plaquette est améliorée et la microrugosité de la surface de la plaquette est réduite sans diminution de la productivité.
(JA)フッ化水素ガスにより各ピット内面を含むウェーハ表面のシリコン酸化膜を除去するので、エピタキシャル膜の成長時、成膜成分により各ピットが完全に埋まる。よって、生産性を低下させず、ウェーハ平坦度が高まり、ウェーハ表面のマイクロラフネスが改善される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)