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1. (WO2009081632) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/081632    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/066620
Date de publication : 02.07.2009 Date de dépôt international : 09.09.2008
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
IWATA, Yoshihisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IWATA, Yoshihisa; (JP)
Mandataire : ITAMI, Masaru; Murata Bldg. Suite 4A, 2-5, Kanda-Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-333485 26.12.2007 JP
Titre (EN) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATIL
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile semiconductor memory device comprises a cell array having plural memory cells arranged in matrix, each memory cell including a variable resistor having a resistance reversibly variable to store data corresponding to the resistance of the variable resistor; a selection circuit operative to select a memory cell from the cell array; and a write circuit operative to execute certain voltage or current supply to the memory cell selected by the selection circuit to vary the resistance of a variable resistor in the selected memory cell to erase or write data. The write circuit terminates the voltage or current supply to the selected memory cell in accordance with resistance variation situation of the variable resistor in the selected memory cell when current flowing in the selected memory cell reaches a certain level appeared after the data erase or write.
(FR)Un dispositif de mémoire à semi-conducteurs non volatil comprend un réseau de cellules ayant plusieurs cellules mémoire disposées en une matrice, chaque cellule mémoire comprenant une résistance variable ayant une valeur de résistance variant de manière réversible pour stocker des données correspondant à la valeur de résistance de la résistance variable ; un circuit de sélection opérant de façon à sélectionner une cellule mémoire parmi le réseau de cellules ; et un circuit d'écriture opérant de façon à appliquer une certaine alimentation en tension ou en courant à la cellule mémoire sélectionnée par le circuit de sélection afin de faire varier la valeur de résistance d'une résistance variable dans la cellule mémoire sélectionnée pour effacer ou écrire des données. Le circuit d'écriture arrête d'alimenter en tension ou en courant la cellule mémoire sélectionnée en fonction d'une situation de variation de la valeur de résistance de la résistance variable dans la cellule mémoire sélectionnée lorsque le courant circulant dans la cellule mémoire sélectionnée atteint un certain niveau apparu après l'effacement ou l'écriture de données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)