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1. (WO2009080636) MÉTHODE DE MODÉLISATION D'UNE JONCTION DE TUNNEL MAGNÉTIQUE AVEC ÉCRITURE PAR COURANT POLARISÉ EN SPIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/080636    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/067677
Date de publication : 02.07.2009 Date de dépôt international : 16.12.2008
CIB :
G11C 11/16 (2006.01), G06F 17/50 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel-Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR) (Tous Sauf US).
PRENAT, Guillaume [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GUO, Wei [CN/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : PRENAT, Guillaume; (FR).
GUO, Wei; (FR)
Mandataire : LUCAS, Laurent; Immeuble Visium 22, Avenue Aristide Briand F-94117 Arcueil Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
0709049 21.12.2007 FR
Titre (EN) METHOD FOR MODELING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION WITH SPIN-POLARIZED CURRENT WRITING
(FR) MÉTHODE DE MODÉLISATION D'UNE JONCTION DE TUNNEL MAGNÉTIQUE AVEC ÉCRITURE PAR COURANT POLARISÉ EN SPIN
Abrégé : front page image
(EN)The junction comprising a stack of at least two magnetic layers, a first layer, for example a soft magnetic layer with controllable magnetization, and a second layer, for example a hard magnetic layer with fixed magnetization, the magnetization of the soft layer being described by a uniform magnetic moment (mx , my , mz ), the dynamic behavior of the junction being modeled by an equivalent electrical circuit comprising at least two coupled parts (41, 42): a first part (41) representing the stack of the layers (1, 2, 3), through which a current (lss) flows corresponding to the polarized current flowing through said layers whose resistance across its terminals (S0, S1) depends on three voltages (Vx , Vy, Vz ) representing the three dimensions (mx, my , mz ) of the magnetic moment along three axes, Formula (I), modeling the tunnel effect; a second part (42) representing the behavior of the magnetic moment, comprising three circuits (43, 44, 45) each representing a dimension of the magnetic moment by the three voltages (Vx, Vy, Vz) each of the three voltages depending on the voltages in the other dimensions and on the voltage (Vss) across the terminals of the stack, modeling the torque effect exerted by the polarized current (lss) on the magnetization (M) of the soft layer.
(FR)L'invention concerne la jonction constituée par la superposition d'au moins deux couches magnétiques : une première couche, par exemple une couche magnétique tendre dont l'aimantation peut être commandée, et une deuxième couche, par exemple une couche magnétique dure dont l'aimantation est fixe, l'aimantation de la couche tendre étant décrite par un moment magnétique uniforme (mx , my , mz). Le comportement dynamique de la jonction est modélisé par un circuit électrique équivalent comprenant au moins deux parties couplées (41, 42) : - une première partie (41) représentant la superposition des couches (1, 2, 3), à travers laquelle circule un courant (Iss) correspondant au courant polarisé circulant à travers les couches dont la résistance aux bornes (S0, S1) dépend de trois tensions (Vx , Vy, Vz) représentant les trois dimensions (mx, my , mz) du moment magnétique suivant trois axes (cf. formule (I)) modélisant l'effet tunnel; - une deuxième partie (42) représentant le comportement du moment magnétique et comprenant trois circuits (43, 44, 45) représentant chacun une dimension du moment magnétique par les trois tensions (Vx, Vy, Vz), chacune des trois tensions dépendant des tensions dans les autres dimensions et de la tension (Vss) aux bornes de la superposition, modélisant l'effet de couple exercé par le courant polarisé (Iss) sur l'aimantation (M) de la couche tendre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)