WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009080011) SOURCE DE LUMIÈRE LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/080011    N° de la demande internationale :    PCT/DE2008/002123
Date de publication : 02.07.2009 Date de dépôt international : 16.12.2008
CIB :
H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
REILL, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TAUTZ, Sönke [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BRICK, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRAUSS, Uwe [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : REILL, Wolfgang; (DE).
TAUTZ, Sönke; (DE).
BRICK, Peter; (DE).
STRAUSS, Uwe; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 061 922.9 21.12.2007 DE
10 2008 013 896.7 12.03.2008 DE
Titre (DE) LASERLICHTQUELLE
(EN) LASER LIGHT SOURCE
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE LASER
Abrégé : front page image
(DE)Eine Laserlichtquelle umfasst insbesondere eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer aktiven Schicht mit zumindest zwei aktiven Bereichen (45), die geeignet sind, im Betrieb elektromagnetische Strahlung über eine als Strahlungsauskoppelfläche (12) ausgeführte Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (10) entlang einer Abstrahlrichtung (90) abzustrahlen, jeweils eine elektrische Kontaktfläche (30) über jedem der zumindest zwei aktiven Bereiche (45) auf einer Hauptoberfläche (14) der Halbleiterschichtenfolge (10) und eine Oberflächenstruktur in der Hauptoberfläche (14) der Halbleiterschichtenfolge (10), wobei die zumindest zwei aktiven Bereiche (45) quer zur Abstrahlrichtung (90) zueinander beabstandet in der aktiven Schicht (40) angeordnet sind, jede der elektrischen Kontakt flächen (30) einen ersten Teilbereich (31) aufweist und einen zweiten Teilbereich (32) mit einer sich entlang der Abstrahlrichtung (90) zur Strahlungsauskoppelfläche (12) hin vergrößernden Breite, die Oberflächenstruktur zwischen den zumindest zwei elektrischen Kontakt flächen (30) zumindest eine erste Vertiefung (6) entlang der Abstrahlrichtung (90) sowie zweite Vertiefungen (7) aufweist und die ersten Teilbereiche (31) der elektrischen Kontaktflächen (30) jeweils zwischen zumindest zwei zweiten Vertiefungen (7) angeordnet sind.
(EN)A laser light source especially comprises a semiconductor layer sequence (10) having an active layer with at least two active zones (45) that are adapted to emit, when operating, electromagnetic radiation via a lateral face of the semiconductor layer sequence (10) along a direction of emission (90), said lateral face being designed as a radiation output surface (12). The laser light source further comprises an electrical contact surface (30) above every of the at least two active zones (45) on a main surface (14) of the semiconductor layer sequence (10) and a surface structure in the main surface (14) of the semiconductor layer sequence (10). The at least two active zones (45) are arranged in the active layer (40) at a right angle to the direction of emission (90) and interspaced from each other. Every electrical contact surface (30) has a first section (31) and a second section (32) which grows wider along the direction of emission (90) towards the radiation output surface (12). The surface structure between the at least two electrical contact surfaces (30) has at least one first recess (6) along the direction of emission (90) and second recesses (7), every first section (31) of the electrical contact surfaces (30) being arranged between at least two second recesses (7).
(FR)Cette source de lumière laser comprend notamment une succession de couches semi-conductrices (10) avec : une couche active comportant au moins deux zones actives (45) qui, en service, sont à même d'émettre le long d'une direction de rayonnement (90) un rayonnement électromagnétique sur une face latérale de la succession de couches semi-conductrices (10) qui est conçue comme face de sortie de rayonnement (12); une face de contact électrique respective (30) au-dessus de chacune des deux zones actives (45) ou davantage, sur une surface principale (14) de la succession de couches semi-conductrices (10); et une structure de surface dans la surface principale (14) de la succession de couches semi-conductrices (10). Sachant que : les deux zones actives (45) ou davantage sont disposées à distance entre elles transversalement à la direction de rayonnement (90) dans la couche active (40); chacune des faces de contact électrique (30) présente une première zone partielle (31) et une deuxième zone partielle (32), avec une largeur augmentant le long de la direction de rayonnement (90) en direction de la face de sortie de rayonnement (12); la structure de surface présente, entre les deux faces de contact électrique (30) ou davantage, au moins un premier renfoncement (6) le long de la direction de rayonnement (90), et des deuxièmes renfoncements (7); et les premières zones partielles (31) des faces de contact électrique (30) sont respectivement disposées entre au moins deux deuxièmes renfoncements (7).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)