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1. WO2009074944 - DISPOSITIF À ÉMISSION LATÉRALE ÉQUIPÉ D'UN RÉFLECTEUR SUPÉRIEUR HYBRIDE

Numéro de publication WO/2009/074944
Date de publication 18.06.2009
N° de la demande internationale PCT/IB2008/055144
Date du dépôt international 08.12.2008
CIB
H01L 33/46 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/50 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50Éléments de conversion de la longueur d'onde
CPC
H01L 2933/0091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
H01L 33/505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
505characterised by the shape, e.g. plate or foil
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL] (AllExceptUS)
  • JAGT, Hendrik, J., B. [NL]/[NL] (UsOnly)
Inventeurs
  • JAGT, Hendrik, J., B.
Mandataires
  • BEKKERS, Joost, J., J.
Données relatives à la priorité
07122848.011.12.2007EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SIDE EMITTING DEVICE WITH HYBRID TOP REFLECTOR
(FR) DISPOSITIF À ÉMISSION LATÉRALE ÉQUIPÉ D'UN RÉFLECTEUR SUPÉRIEUR HYBRIDE
Abrégé
(EN)
A side-emitting light emitting device (100) is provided, comprising at least one light emitting diode (101) arranged on a substrate (102) and facing a scattering reflector (103) disposed at a distance from and extending along the extension of said substrate. The reflector comprises a scattering layer (108) facing the substrate and a reflecting layer (109) arranged on said scattering layer, said scattering layer exhibiting a roughened surface (111) facing said substrate and a refractive index which is different from the refractive index of a solid transmissive material (106, 115). The scattering action of the reflector (103) gives rise to an angular redistribution in the device, which increases the chance of light exiting the device through lateral openings between the reflector and the substrate, while the opacity prevents light from being emitted through the top surface.
(FR)
L'invention concerne un dispositif émetteur de lumière (100) à émission latérale qui comprend au moins une diode électroluminescente (101) disposée sur un substrat (102) et face à un réflecteur de diffusion (103) disposé à distance de ce substrat et dans le prolongement de celui-ci. Le réflecteur comprend une couche de diffusion (108) face au substrat et une couche réfléchissante (109) placée sur la couche de diffusion, cette couche de diffusion présentant une surface rugueuse (111) face au substrat et un indice de réfraction différent de celui d'un matériau de transmission solide (106, 115). La diffusion du réflecteur (103) entraîne une redistribution angulaire dans le dispositif, qui augmente les chances de sortie de lumière du dispositif à travers ses ouvertures latérales entre le réflecteur et le substrat, alors que l'opacité du réflecteur empêche l'émission de la lumière à travers la surface supérieure.
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