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1. WO2009069695 - FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT

Numéro de publication WO/2009/069695
Date de publication 04.06.2009
N° de la demande internationale PCT/JP2008/071537
Date du dépôt international 27.11.2008
CIB
H01B 5/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
5Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
14comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
C23C 14/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
08Oxydes
C23C 16/30 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
H01B 13/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
13Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
CPC
C23C 14/086
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
086of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
C23C 16/26
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
26Deposition of carbon only
H01L 31/1884
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Y10T 428/265
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
263Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
264Up to 3 mils
2651 mil or less
Y10T 428/30
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
30Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Déposants
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 口山 崇 KUCHIYAMA, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 山本 憲治 YAMAMOTO, Kenji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 市川 満 ICHIKAWA, Mitsuru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 近藤 晃三 KONDO, Kozo [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 口山 崇 KUCHIYAMA, Takashi
  • 山本 憲治 YAMAMOTO, Kenji
  • 市川 満 ICHIKAWA, Mitsuru
  • 近藤 晃三 KONDO, Kozo
Représentant commun
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION
Données relatives à la priorité
2007-31048630.11.2007JP
2008-07878525.03.2008JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING THE TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
(FR) FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 透明導電膜およびその製造方法
Abrégé
(EN)
This invention provides a transparent electroconductive film, which can simultaneously realize a high level of resistance to an environmental variation and a high level of light transmittance, and a process for producing the transparent electroconductive film. The transparent electroconductive film comprises one or more transparent electroconductive oxide layers provided on a transparent substrate, and a plurality of hydrogen-containing carbon layers provided on the transparent electroconductive oxide layer. At least one layer in the one or more transparent electroconductive oxide layers may contain zinc oxide, and the hydrogen-containing carbon layer may have a multilayer structure in which at least one layer constituting the hydrogen-containing carbon layer has a refractive index of 1.25 to 1.85. A more preferred transparent electroconductive film satisfies a relationship of T1/T0 ≥ 1.02 for light with a wavelength of 550 nm where T0 represents the light transmittance of a transparent substrate on which one or more transparent electroconductive oxide layers have been deposited; and T1 represents the light transmittance of a transparent substrate on which the one or more transparent electroconductive oxide layers and the plurality of hydrogen-containing carbon layers have been deposited.
(FR)
L'invention porte sur un film électroconducteur transparent qui peut simultanément réaliser un haut niveau de résistance aux variations environnementales et un haut niveau de transmittance de lumière, et sur un procédé de fabrication du film électroconducteur transparent. Le film électroconducteur transparent comprend une ou plusieurs couches d'oxyde électroconducteur transparentes formées sur un substrat transparent, et une pluralité de couches de carbone contenant de l'hydrogène formées sur la couche d'oxyde électroconducteur transparente. Au moins une couche dans la ou les couches d'oxyde électroconducteur transparentes peuvent contenir de l'oxyde de zinc, et la couche de carbone contenant de l'hydrogène peut avoir une structure multicouche dans laquelle au moins une couche constituant la couche de carbone contenant de l'hydrogène a un indice de réfraction de 1,25 à 1,85. Un film électroconducteur transparent idéal satisfait une relation T1/T0 ≥ 1,02 pour de la lumière ayant une longueur d'onde de 550 nm où T0 représente la transmittance de lumière d'un substrat transparent sur lequel une ou plusieurs couches d'oxyde électroconducteur transparentes ont été déposées ; et T1 représente la transmittance de lumière d'un substrat transparent sur lequel la ou les couches d'oxyde électroconducteur transparentes et la pluralité de couches de carbone contenant de l'hydrogène ont été déposées.
(JA)
 高い耐環境変動性と高い光線透過率とを同時に達成可能な透明導電膜とその製造方法を提供する。  透明導電膜は、透明基板上において1層以上の透明導電性酸化物層と、その上の複数層の水素含有カーボン層を含む透明導電膜であり、透明導電性酸化物層の少なくとも1層は酸化亜鉛を含み、水素含有カーボン層は複数層形成されてよく、その少なくとも1層は屈折率が1.25~1.85、1層以上の透明導電性酸化物層が堆積された透明基板の光線透過率をT0としかつ複数層の水素含有カーボン層まで堆積された透明基板の光線透過率をT1とした場合に波長550nmの光に関してT1/T0≧1.02の関係が成り立つことであることがさらに好ましい透明導電膜となる。
Également publié en tant que
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