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1. WO2009061045 - PHOTODÉTECTEURS POUR CONVERTIR UN SIGNAL OPTIQUE EN UN SIGNAL ÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2009/061045
Date de publication 14.05.2009
N° de la demande internationale PCT/KR2008/002599
Date du dépôt international 08.05.2008
CIB
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
CPC
H01L 31/028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
028including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 31/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
105the potential barrier being of the PIN type
H01L 31/1812
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
1812including only AIVBIV alloys, e.g. SiGe
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
547Monocrystalline silicon PV cells
Déposants
  • Electronics and Telecommunications Research Institute [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • SUH, Dong-Woo [KR]/[KR] (UsOnly)
  • KIM, Gyung-Ock [KR]/[KR] (UsOnly)
  • KIM, Sang-Hun [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • SUH, Dong-Woo
  • KIM, Gyung-Ock
  • KIM, Sang-Hun
Mandataires
  • KWON, HyuK-Soo
Données relatives à la priorité
10-2007-011191205.11.2007KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PHOTODETECTORS CONVERTING OPTICAL SIGNAL INTO ELECTRICAL SIGNAL
(FR) PHOTODÉTECTEURS POUR CONVERTIR UN SIGNAL OPTIQUE EN UN SIGNAL ÉLECTRIQUE
Abrégé
(EN)
Provided is a photodetector converting an optical signal into an electrical signal. The photodetector includes: a plurality of semiconductor layers sequentially stacked on a substrate; a plurality of photoelectric conversion units formed in the semiconductor layers, respectively, and having different spectral sensitivities from each other; and buffer layers interposed between the adjacent semiconductor layers, respectively. Each of the buffer layers alleviates stress between the adjacent semiconductor layers.
(FR)
L'invention concerne un photodétecteur qui convertit un signal optique en un signal électrique. Le photodétecteur comprend : une pluralité de couches semi-conductrices empilées séquentiellement sur un substrat; une pluralité d'unités de conversion photoélectrique respectivement formées dans les couches semi-conductrices et ayant des sensibilités spectrales différentes les unes des autres; et des couches tampons respectivement interposées entre les couches semi-conductrices adjacentes. Chacune des couches tampons atténue la contrainte entre les couches semi-conductrices adjacentes.
Également publié en tant que
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