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1. WO2009058463 - COMPOSITION, MÉTHODE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE GALETTE

Numéro de publication WO/2009/058463
Date de publication 07.05.2009
N° de la demande internationale PCT/US2008/074199
Date du dépôt international 25.08.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 26.08.2009
CIB
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
C09G 1/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
GCOMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1Compositions de produits à polir
02contenant des abrasifs ou agents de polissage
H01L 21/302 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
CPC
B24B 37/044
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
044characterised by the composition of the lapping agent
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
Déposants
  • 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US]/[US] (AllExceptUS)
  • LI, Naichao [CN]/[US] (UsOnly)
  • GAGLIARDI, John J. [US]/[US] (UsOnly)
  • CLARK, Philip G. [US]/[US] (UsOnly)
  • SAVU, Patricia M. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • LI, Naichao
  • GAGLIARDI, John J.
  • CLARK, Philip G.
  • SAVU, Patricia M.
Mandataires
  • BAKER, James A.
  • CHANG, Soo Kil
Données relatives à la priorité
60/984,21731.10.2007US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COMPOSITION, METHOD AND PROCESS FOR POLISHING A WAFER
(FR) COMPOSITION, MÉTHODE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UNE GALETTE
Abrégé
(EN)
A composition for use in polishing a wafer is disclosed. The composition includes an aqueous solution of initial components substantially free of loose abrasive particles and having a pH in the range of about 2 to 7, the aqueous solution including at least one polyelectrolyte and a surfactant. In certain embodiments, the wafer polishing composition can be adjusted to control cut rate and selectivity for modifying semiconductor wafers using a fixed abrasive Chemical Mechanical Polishing (CMP) process. Also disclosed is a CMP method and a process for polishing a wafer using the polishing composition.
(FR)
L'invention concerne une composition destinée à être utilisée dans le polissage d'une galette. La composition contient une solution aqueuse de composants initiaux essentiellement exempts de particules abrasives lâches et dont le pH est compris dans la plage d'environ 2 à 7, la solution aqueuse contenant au moins un polyélectrolyte et un agent tensioactif. Dans certains modes de réalisation, la composition de polissage de galette peut être ajustée de manière à contrôler le taux de coupe et la sélectivité en vue de modifier des galettes de semi-conducteur en utilisant une opération chimico-mécanique de polissage (CMP) avec abrasif fixe. L'invention concerne également une méthode CMP et un procédé de polissage d'une galette utilisant la composition de polissage.
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