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1. WO2009057395 - PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT DESTINÉ À ÉLIMINER UN FILM D'OXYDE

Numéro de publication WO/2009/057395
Date de publication 07.05.2009
N° de la demande internationale PCT/JP2008/067016
Date du dépôt international 19.09.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.05.2009
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
H01J 37/32091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32091the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01L 21/02049
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
02046Dry cleaning only
02049with gaseous HF
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02573
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
Déposants
  • キヤノンアネルバ株式会社 Canon ANELVA Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 清野 拓哉 SEINO, Takuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 池本 学 IKEMOTO, Manabu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 真下 公子 MASHIMO, Kimiko [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 清野 拓哉 SEINO, Takuya
  • 池本 学 IKEMOTO, Manabu
  • 真下 公子 MASHIMO, Kimiko
Mandataires
  • 岡部 正夫 OKABE, Masao
Données relatives à la priorité
PCT/JP2007/07139302.11.2007JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE CLEANING METHOD FOR REMOVING OXIDE FILM
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT DESTINÉ À ÉLIMINER UN FILM D'OXYDE
(JA) 酸化膜除去のための基板洗浄処理方法
Abrégé
(EN)
A radical generated by plasma is introduced into a processing chamber through a plurality of holes (111) which are arranged on a partitioning plate for separating a plasma generating chamber (108) and a processing chamber one from the other, a treatment gas separately introduced into the processing chamber and the radical are mixed to suppress excitation energy of the radical, and substrate surface treatment having high selectivity from Si can be performed. Thus, surface treatment is made possible for removing a natural oxide film and an organic material without deteriorating planarity of the substrate surface. The radical in the plasma is introduced into the processing chamber through the radical passing holes (111) on a plasma confining electrode plate (110) for separating plasma, the treatment gas is introduced into the processing chamber to be mixed with the radical in the processing chamber (121), and the substrate surface is cleaned by the mixed atmosphere of the radical and the treatment gas.
(FR)
Un radical généré par un plasma est introduit dans une chambre de traitement par une pluralité d'orifices (111) qui sont disposés sur une plaque de partitionnement destinée à séparer une chambre de génération de plasma (108) et une chambre de traitement l'une de l'autre, un gaz de traitement introduit séparément dans la chambre de traitement et le radical sont mélangés afin de supprimer l'énergie d'excitation du radical, et un traitement de surface de substrat qui possède une sélectivité élevée du Si peut être effectué. Ainsi, un traitement de surface est rendu possible afin d'éliminer un film d'oxyde naturel et un matériau organique sans détériorer la planarité de la surface du substrat. Le radical dans le plasma est introduit dans la chambre de traitement par les orifices de passage de radical (111) sur une plaque d'électrode à confinement de plasma (110) destinée à séparer le plasma, le gaz de traitement est introduit dans la chambre de traitement afin d'être mélangé avec le radical dans la chambre de traitement (121), et la surface du substrat est nettoyée par l'atmosphère mixte du radical et du gaz de traitement.
(JA)
プラズマによって生成したラジカルを、プラズマ生成室(108)と処理室を分離する隔壁板に設けられた複数の孔(111)から処理室に導入し、別途処理室に導入した処理ガスとこのラジカルを混合することで、上記ラジカルの励起エネルギーを抑制し、これによりSiと高い選択性を持った基板表面処理が可能となるため、基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となることが見出された。プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板(110)のラジカル通過孔(111)を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室(121)内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。
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