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1. (WO2009039441) STRUCTURES À SUPERJONCTION POUR DISPOSITIFS DE PUISSANCE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/039441    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/077118
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 19.09.2008
CIB :
H01L 29/00 (2006.01)
Déposants : FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 82 Running Hill Road, MS 35-4E South Portland, ME 04106 (US) (Tous Sauf US).
YEDINAK, Joseph, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Jaegil [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JANG, Hocheol [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YUN, Chongman [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SHENOY, Praveen Muraleedharan [US/IN]; (IN) (US Seulement).
REXER, Christopher, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Changwook [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Jonghun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HIGGS, Jason, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
REICHL, Dwayne, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHARP, Joelle [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Qi [CN/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Yongsub [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Jungkil [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
RINEHIMER, Mark, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
JUNG, Jinyoung [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YEDINAK, Joseph, A.; (US).
LEE, Jaegil; (KR).
JANG, Hocheol; (KR).
YUN, Chongman; (KR).
SHENOY, Praveen Muraleedharan; (IN).
REXER, Christopher, L.; (US).
KIM, Changwook; (KR).
LEE, Jonghun; (KR).
HIGGS, Jason, M.; (US).
REICHL, Dwayne, S.; (US).
SHARP, Joelle; (US).
WANG, Qi; (US).
KIM, Yongsub; (KR).
LEE, Jungkil; (KR).
RINEHIMER, Mark, L.; (US).
JUNG, Jinyoung; (KR)
Mandataire : SANI, Barmak; Townsend And Townsend And Crew LLP Two Embarcadero Center, 8th Floor San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
60/974,433 21.09.2007 US
Titre (EN) SUPERJUNCTION STRUCTURES FOR POWER DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE
(FR) STRUCTURES À SUPERJONCTION POUR DISPOSITIFS DE PUISSANCE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A power device includes an active region and a termination region surrounding the active region. A plurality of pillars of first and second conductivity type are alternately arranged in each of the active and termination regions. The pillars of first conductivity type in the active and termination regions have substantially the same width, and the pillars of second conductivity type in the active region have a smaller width than the pillars of second conductivity type in the termination region so that a charge balance condition in each of the active and termination regions results in a higher breakdown voltage in the termination region than in the active region.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de puissance qui comprend une région active et une région de terminaison entourant la région active. Une pluralité de colonnes de premier et second types de conductivité sont disposées en alternance dans chacune des régions active et de terminaison. Les colonnes du premier type de conductivité dans les régions active et de terminaison ont sensiblement la même largeur, et les colonnes du second type de conductivité dans la région active ont une largeur inférieure à celles des colonnes du second type de conductivité dans la région de terminaison, de sorte qu'une condition d'équilibre de charge dans chacune des régions active et de terminaison résulte en une tension de claquage plus importante dans la région de terminaison que dans la région active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)