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1. (WO2009039343) CHAMBRE DE TRAITEMENT PAR PECVD AVEC PLAQUE DE SUPPORT REFROIDIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/039343    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/076966
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 19.09.2008
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
CHOI, Soo Young [KR/US]; (US) (US Seulement).
TINER, Robin, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
WHITE, John, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHOI, Soo Young; (US).
TINER, Robin, L.; (US).
WHITE, John, M.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
11/858,020 19.09.2007 US
12/233,443 18.09.2008 US
Titre (EN) PECVD PROCESS CHAMBER WITH COOLED BACKING PLATE
(FR) CHAMBRE DE TRAITEMENT PAR PECVD AVEC PLAQUE DE SUPPORT REFROIDIE
Abrégé : front page image
(EN)The invention generally relates to a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber for depositing amorphous or microcrystalline silicon on a glass substrate to fabricate solar voltaic cells. The chamber includes a backing plate having at least one fluid receiving conduit to receive cooling fluid to remove heat generated within the chamber by the plasma, thereby stabilizing and cooling the backing plate to assure the uniformity of deposition of materials on the surface of the substrate.
(FR)L'invention concerne de manière générale une chambre de dépôt chimique en phase vapeur renforcée par plasma (PECVD) destinée au dépôt de silicium amorphe ou microcristallin sur un substrat de verre pour fabriquer des cellules solaires voltaïques. La chambre comprend une plaque de support comportant au moins un conduit de réception de fluide pour recevoir un fluide de refroidissement pour enlever la chaleur produite dans la chambre par le plasma, stabilisant et refroidissant ainsi la plaque de support pour assurer l'uniformité du dépôt de matériaux sur la surface de substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)