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1. (WO2009039268) REVÊTEMENT ANTIREFLET PAR ROTATION POUR L'INTÉGRATION DE MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES APTES À LA FORMATION DE MOTIFS ET STRUCTURES D'INTERCONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/039268    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/076844
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 18.09.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.02.2009    
CIB :
G03F 1/14 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
ALLEN, Robert, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
BROCK, Phillip, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
DAVIS, Blake, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Wu-song, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
LIN, Qinghuang [CN/US]; (US) (US Seulement).
NELSON, Alshakim [US/US]; (US) (US Seulement).
PURUSHOTHAMAN, Sampath [US/US]; (US) (US Seulement).
SOORIYAKUMARAN, Ratnam [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ALLEN, Robert, D.; (US).
BROCK, Phillip, J.; (US).
DAVIS, Blake, W.; (US).
HUANG, Wu-song, S.; (US).
LIN, Qinghuang; (US).
NELSON, Alshakim; (US).
PURUSHOTHAMAN, Sampath; (US).
SOORIYAKUMARAN, Ratnam; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward, W.; Scully, Scott, Murphy & Presser, PC, 400 Garden City Plaza, Suite 300, Garden City, NY 11530 (US)
Données relatives à la priorité :
11/858,615 20.09.2007 US
Titre (EN) SPIN-ON ANTIREFLECTIVE COATING FOR INTEGRATION OF PATTERNABLE DIELECTRIC MATERIALS AND INTERCONNECT STRUCTURES
(FR) REVÊTEMENT ANTIREFLET PAR ROTATION POUR L'INTÉGRATION DE MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES APTES À LA FORMATION DE MOTIFS ET STRUCTURES D'INTERCONNEXION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of fabricating an interconnect structure in which a patternable low-k material replaces the need for utilizing a separate photoresist and a dielectric material. Specifically, this invention relates to a simplified method of fabricating single- damascene and dual-damascene low-k interconnect structures with at least one patternable low-k dielectric and at least one inorganic antireflective coating. In general terms, a method is provided that includes providing at least one patternable low-k material on a surface of an inorganic antireflective coating that is located atop a substrate. The inorganic ARC is liquid deposited and comprises a polymer that has at least one monomer unit comprising the formula M-R1 wherein M is at least one of Si, Ge, B, Sn, Fe, Ta, Ti, Ni, Hf and La and R1 is a chromophore. At least one interconnect pattern is formed within the at least one patternable low- k material and thereafter the at least one patternable low-k material is cured. The inventive method can be used to form dual-damascene interconnect structures as well as single-damascene interconnect structures.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure d'interconnexion selon lequel un matériau à faible k apte à la formation de motifs remplace le besoin d'utiliser une réserve photosensible séparée et un matériau diélectrique. De manière spécifique, l'invention concerne un procédé simplifié de fabrication de structures d'interconnexion à faible k à damasquinage unique et damasquinage double ayant au moins un diélectrique à faible k apte à la formation de motifs et au moins un revêtement antireflet inorganique. En termes généraux, il est prévu un procédé comprenant la fourniture d'au moins un matériau à faible k apte à la formation de motifs sur une surface d'un revêtement antireflet inorganique qui est positionnée au niveau de la partie supérieure d'un substrat. Le revêtement antireflet inorganique est déposé sous forme liquide et comprend un polymère qui a au moins une unité monomère de formule M-R1 où M est au moins un élément parmi Si, Ge, B, Sn, Fe, Ta, Ti, Ni, Hf et La et R1 est un chromophore. Au moins un motif d'interconnexion est formé dans le ou les matériaux à faible k aptes à la formation de motifs, et ensuite le ou les matériaux à faible k aptes à la formation de motifs sont durcis. Le procédé de l'invention peut être utilisé pour former des structures d'interconnexion à damasquinage double ainsi que des structures d'interconnexion à damasquinage unique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)