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1. (WO2009039187) PRÉCURSEURS DE TELLURE POUR LE DÉPÔT D'UN FILM GST
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/039187    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/076698
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 17.09.2008
CIB :
C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : L'AIR LIQUIDE - SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75 quai d'Orsay, F-75321 Cedex 07 Paris (FR) (Tous Sauf US).
DUSSARRAT, Christian [FR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DUSSARRAT, Christian; (US)
Mandataire : AIR LIQUIDE INTELLECTUAL PROPERTY DEPARTMENT; 2700 Post Oak Blvd., Suite 1800, Houston, Texas 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
60/973,090 17.09.2007 US
Titre (EN) TELLURIUM PRECURSORS FOR GST FILM DEPOSITION
(FR) PRÉCURSEURS DE TELLURE POUR LE DÉPÔT D'UN FILM GST
Abrégé : front page image
(EN)A process for depositing a tellurium-containing film on a substrate is disclosed, including (a) providing a substrate in a reactor; (b) introducing into the reactor at least one tellurium-containing precursor having the formula TeLn or cyclic LTe( L )21TeL, wherein at least one L contains a N bonded to one said Te, 'n' is between 2-6, inclusive, and each 'L,' is independently selected from certain alkyl and aryl groups. The process further includes (c) optionally, introducing at least one M-containing source, wherein M is Si, Ge, Sb, Sn, Pb, Bi, In, Ag or Se, or a combination of any of those; (d) optionally, introducing a hydrogen-containing fluid; (e) optionally, introducing an oxygen-containing fluid; (f) optionally, introducing a nitrogen-containing fluid; (g) reacting the precursor(s) and M-containing source(s), if any, in the reactor with the hydrogen-, oxygen- and/or nitrogen-containing fluid, if any; and (h) depositing a tellurium-containing film onto the substrate.
(FR)L'invention porte sur un procédé de dépôt d'un film contenant du tellure sur un substrat, comprenant (a) la disposition d'un substrat dans un réacteur ; (b) l'introduction dans le réacteur d'au moins un précurseur contenant du tellure, ayant la formule TeLn ou LTe( L )21TeL cyclique, dans laquelle au moins un L contient un N lié à un Te, « n » est entre 2 et 6, inclus, et chaque « L » est sélectionné indépendamment à partir de certains groupes alkyle et aryle. Le procédé comprend en outre (c) facultativement, l'introduction d'au moins une source contenant un M, M étant Si, Ge, Sb, Sn, Pb, Bi, In, Ag ou Se, ou une combinaison d'un de ceux-ci ; (d) facultativement, l'introduction d'un fluide contenant de l'hydrogène ; (e) facultativement, l'introduction d'un fluide contenant de l'oxygène ; (f) facultativement, l'introduction d'un fluide contenant de l'azote ; (g) la réaction du ou des précurseurs et de la ou des sources contenant le M, le cas échéant, dans le réacteur avec le fluide contenant de l'hydrogène, de l'oxygène et/ou de l'azote, le cas échéant ; et (h), le dépôt d'un film contenant du tellure sur le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)