WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009038817) PROCÉDÉ ET EXTENSIONS POUR COUPLER DES EFFETS DE SUBSTRAT ET UNE SIMULATION DE CIRCUIT DE MODÈLE COMPACT POUR UNE SIMULATION EFFICACE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ET CIRCUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/038817    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/060135
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 11.04.2008
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : LILJA, Klas, Olof [US/US]; (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : LILJA, Klas, Olof; (US)
Mandataire : NIELSEN, John; Randick O'Dea & Tooliatos, LLP, 5000 Hopyard Road, Ste. 400, Pleasanton, CA 94588 (US)
Données relatives à la priorité :
60/923,484 13.04.2007 US
Titre (EN) METHOD, AND EXTENSIONS, TO COUPLE SUBSTRATE EFFECTS AND COMPACT MODEL CIRCUIT SIMULATION FOR EFFICIENT SIMULATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUIT
(FR) PROCÉDÉ ET EXTENSIONS POUR COUPLER DES EFFETS DE SUBSTRAT ET UNE SIMULATION DE CIRCUIT DE MODÈLE COMPACT POUR UNE SIMULATION EFFICACE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ET CIRCUIT
Abrégé : front page image
(EN)This invention comprises a new method to couple simulation of electronics circuits (using compact models) with simulation of physical effects which require a PDE (partial differential equation) based simulation, for semiconductor MOSFET based devices and circuits. In particular the method can be used to capture high injection substrate effects such as single event transients (SET), latch-up, ESD, or thermal effects. Bipolar substrate effects are handled correctly and completely with this algorithm. The method extends the applicability of technology CAD (TCAD) to multiple devices.
(FR)La présente invention concerne un nouveau procédé pour coupler la simulation de circuits électroniques (à l'aide de modèles compacts) avec la simulation d'effets physiques qui requièrent une simulation basée sur une PDE (équation différentielle partielle), pour des dispositifs semi-conducteurs MOSFET et des circuits. En particulier, le procédé peut être utilisé pour capturer des effets de substrat haute injection tels que des effets singuliers tranasitoires (SET), des effets de verrouillage, des effets de décharge électrostatique ou des effets thermiques. Les effets de substrats bipolaires sont correctement et entièrement gérés par cet algorithme. Le procédé étend l'applicabilité de la technologie CAO (TCAO) à de multiples dispositifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)