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1. (WO2009038565) PROCÉDÉ DE BRASAGE ET DISPOSITIF APPARENTÉ POUR UNE RÉSISTANCE AMÉLIORÉE À LA RUPTURE FRAGILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/038565    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/020479
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 21.09.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.01.2009    
CIB :
H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : AGERE SYSTEMS, INC. [US/US]; 1621 Barber Lane, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
AMIN, Ahmed [US/US]; (US) (US Seulement).
BAIOCCHI, Frank [US/US]; (US) (US Seulement).
DELUCCA, John [US/US]; (US) (US Seulement).
OSENBACH, John [US/US]; (US) (US Seulement).
VACCARO, Brian, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AMIN, Ahmed; (US).
BAIOCCHI, Frank; (US).
DELUCCA, John; (US).
OSENBACH, John; (US).
VACCARO, Brian, T.; (US)
Mandataire : ELLENBOGEN, Wayne, L.; Ryan, Mason & Lewis, LLP, 90 Forest Avenue, Locust Valley, NY 11560 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLDERING METHOD AND RELATED DEVICE FOR IMPROVED RESISTANCE TO BRITTLE FRACTURE
(FR) PROCÉDÉ DE BRASAGE ET DISPOSITIF APPARENTÉ POUR UNE RÉSISTANCE AMÉLIORÉE À LA RUPTURE FRAGILE
Abrégé : front page image
(EN)A lead-free solder joint is formed between a tin-silver-copper solder alloy (S AC), SACX5 or other commonly used Pb-free solder alloys, and a metallization layer of a substrate. Interaction of the SAC with the metallization layer forms an intermetallic compound (IMC) that binds the solder mass to the metallization layer. The IMC region is substantially free of any phosphorous-containing layers or regions.
(FR)Selon l'invention, un joint de brasure sans plomb est formé entre un alliage de brasage étain-argent-cuivre (SAC), SACX5 ou d'autres alliages de brasage sans plomb couramment utilisés, et une couche de métallisation d'un substrat. L'interaction de SAC avec la couche de métallisation forme un composé intermétallique (IMC) qui lie la masse de brasure à la couche de métallisation. La région IMC est sensiblement exempte de couches ou régions contenant du phosphore.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)