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1. (WO2009038111) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/038111    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/066815
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 18.09.2008
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (Tous Sauf US).
GOSAIN, Dharam Pal [IN/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKATOKU, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : GOSAIN, Dharam Pal; (JP).
TANAKA, Tsutomu; (JP).
TAKATOKU, Makoto; (JP)
Mandataire : IWASAKI, Sachikuni; c/o Miyoshi International Patent Office Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-244880 21.09.2007 JP
2008-216975 26.08.2008 JP
Titre (EN) DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置及び表示装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In the case of forming a switching element and an optical sensor element on the same substrate, when the film thickness of an active layer is increased to improve sensitivity of the optical sensor element, characteristics of the switching element (TFT) are affected. A display device is provided with a channel layer (25) and a photoelectric conversion layer (35) on a gate insulating film (24) of a glass substrate (5) whereupon a plurality of pixels are arranged in matrix. The channel layer configures a thin film transistor to be a pixel switching element. The photoelectric conversion layer configures an optical sensor element. The light absorptance of the photoelectric conversion layer (35) is permitted to be higher than that of the channel layer (25) by forming the photoelectric conversion layer (35) thicker than the channel layer (25) or by forming the photoelectric conversion layer (35) of a material different from that of the channel layer (25).
(FR)L'invention concerne la formation d'un élément de commutation et d'un élément de détecteur optique sur le même substrat. Lorsque l'épaisseur de film d'une couche active est augmentée pour améliorer une sensibilité de l'élément de détecteur optique, des caractéristiques de l'élément de commutation (TFT) sont affectées. Un dispositif d'affichage comporte une couche de canal (25) et une couche de conversion photoélectrique (35) sur un film isolant de grille (24) d'un substrat en verre (5) sur lequel une pluralité de pixels sont agencés en matrice. La couche de canal configure un transistor en couches minces afin qu'il soit un élément de commutation de pixel. La couche de conversion photoélectrique configure un élément de détecteur optique. L'absorbance de lumière de la couche de conversion photoélectrique (35) peut être supérieure à celle de la couche de canal (25) par formation de la couche de conversion photoélectrique (35) plus épaisse que la couche de canal (25) ou par formation de la couche de conversion photoélectrique (35) en un matériau différent de celui de la couche de canal (25).
(JA) 同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度を上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子(TFT)の特性に悪影響を及ぼしてしまう。複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板5のゲート絶縁膜24の上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層25と、光センサ素子を構成する光電変換層35とを有する表示装置の構成として、光電変換層35をチャネル層25よりも厚く形成したり、光電変換層35をチャネル層25と異なる材料で形成したりすることにより、光電変換層35の光吸収率をチャネル層25のそれよりも高くした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)