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1. (WO2009037955) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/037955    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065505
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 29.08.2008
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
KOHIRA, Masatsugu; (US Seulement).
FUNAKOSHI, Yasushi; (US Seulement)
Inventeurs : KOHIRA, Masatsugu; .
FUNAKOSHI, Yasushi;
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-242137 19.09.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a solar cell, which comprises a step for applying a first diffusion agent (3) containing an n-type impurity and a second diffusion agent (4) containing a p-type impurity over a semiconductor substrate (1); a step for forming a protective layer (5) covering at least one of the first diffusion agent (3) and the second diffusion agent (4); and a step for diffusing at least one of the n-type impurity and the p-type impurity in the surface of the semiconductor substrate (1) by heat-treating the semiconductor substrate (1) after formation of the protective layer (5).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire, qui comprend une étape d'application d'un premier agent de diffusion (3) contenant une impureté de type n et d'un second agent de diffusion (4) contenant une impureté de type p sur un substrat semi-conducteur (1) ; une étape de formation d'une couche protectrice (5) couvrant au moins le premier agent de diffusion (3) ou le second agent de diffusion (4) ; et une étape de diffusion d'au moins l'impureté de type n ou l'impureté de type p dans la surface du substrat semi-conducteur (1), par traitement thermique du substrat semi-conducteur (1) après formation de la couche protectrice (5).
(JA) 半導体基板(1)上に、n型不純物を含む第1の拡散剤(3)とp型不純物を含む第2の拡散剤(4)とを塗布する工程と、第1の拡散剤(3)および第2の拡散剤(4)の少なくとも一方を覆う保護層(5)を形成する工程と、保護層(5)の形成後の半導体基板(1)を熱処理することによって半導体基板(1)の表面にn型不純物およびp型不純物の少なくとも一方を拡散させる工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)