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1. (WO2009037878) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE SOUDAGE DE FIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/037878    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055484
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 25.03.2008
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585 (JP) (Tous Sauf US).
MII, Tatsunari [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIUCHI, Hayato [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MII, Tatsunari; (JP).
KIUCHI, Hayato; (JP)
Mandataire : YOSHIDA, Kenji; 34-12, Kichijoji-honcho 1-chome, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-246033 21.09.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND WIRE BONDING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE SOUDAGE DE FIL
(JA) 半導体装置及びワイヤボンディング方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device has a first layer pressing portion (100) that is formed by crushing a ball neck formed by bonding an initial ball to a first layer pad (14) of a first layer semiconductor die (11) and pressing the side of a wire folded onto the crushed ball neck, a first wire (25) stretched in the direction of a lead (16) from the first layer pressing portion (100), and a second wire (25) that is looped from a second layer pad (15) of a second layer semiconductor die (12) toward the first layer pressing portion (100) and joined to the second layer pad (15) side of the first layer pressing portion (100). Thereby, the connection of wires is performed at a small number of times of bonding, while reducing damages caused on the semiconductor dies.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend une partie de pression de première couche (100) qui est formée par écrasement d'un col de bille formé par soudage d'une bille initiale à une plage de première couche (14) d'une puce de semi-conducteur de première couche (11) et pression du côté d'un fil plié sur le col de bille écrasé, un premier fil (25) étiré dans la direction d'une sortie (16) depuis la partie de pression de première couche (100), et un second fil (25) qui est bouclé depuis une plage de seconde couche (15) d'une puce de semi-conducteur de seconde couche (12) vers la partie de pression de première couche (100) et joint au côté plage de seconde couche (15) de la partie de pression de première couche (100). Ainsi, la connexion de fils est effectuée en un petit nombre de soudages, ce qui réduit l'endommagement causé aux puces de semi-conducteur.
(JA) 半導体装置において、イニシャルボールを第一層半導体ダイ(11)の第一層パッド(14)にボンディングして形成されるボールネックを押し潰し、押し潰したボールネック上に折り返したワイヤの側面を押し付けて形成される第一層押し付け部(100)と、第一層押し付け部(100)からリード(16)の方向に向かって伸びる第1ワイヤ(25)と、第二層半導体ダイ(12)の第二層パッド(15)から第一層押し付け部(100)に向かってルーピングされ、第一層押し付け部(100)の第二層パッド(15)側に接合される第2ワイヤ(25)とを有する。これにより、半導体ダイに与えるダメージを低減しつつ少ないボンディング回数でワイヤの接続を行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)