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1. (WO2009037832) FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT SOUPLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/037832    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/002562
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 18.09.2008
CIB :
H01B 5/14 (2006.01), B32B 7/02 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G02F 1/135 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (Tous Sauf US).
KOIKE, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOIKE, Junichi; (JP)
Mandataire : MASUTANI, Tsuyoshi; Room 401, Morin Building 17-3, Minamiaoyama 2-chome Minao-ku, Tokyo 1070062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-241684 19.09.2007 JP
Titre (EN) FLEXIBLE TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
(FR) FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT SOUPLE
(JA) 屈曲性のある透明導電膜
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a transparent electroconductive film possessing electroconductivity, abrasion resistance and friction resistance comparable with a trnasparent electroconductive film of a metal oxide and having excellent flexibility. The transparent electroconductive film is a flexible transparent electroconductive film comprising a polymer substrate, and an organic electroconductive film and a transparent electroconductive film of a metal oxide stacked on the polymer substrate. The transparent electroconductive film is characterized by comprising the polymer substrate, the organic electroconductive film provided on the polymer substrate, and the transparent electroconductive film of the metal oxide provided on the organic electroconductive film, the transparent electroconductive film of the metal oxide being cracked. The transparent electroconductive film is further characterized in that the electric characteristics of the interface between the transparent electroconductive film of the metal oxide and the organic electroconductive film are based on a space charge controlled current mechanism in which current flows in proportion to the 1.65th to 2.23th power of added voltage.
(FR)Cette invention concerne un film électroconducteur transparent possédant une électroconductivité, une résistance à l'abrasion et une résistance à la friction comparables à un film électroconducteur transparent d'un oxyde métallique et ayant une excellente flexibilité. Le film électroconducteur transparent est un film électroconducteur transparent souple comprenant un substrat polymère, et un film électroconducteur organique et un film électroconducteur transparent d'un oxyde métallique empilés sur le substrat polymère. Le film électroconducteur transparent est caractérisé par le fait qu'il comprend le substrat polymère, le film électroconducteur organique formé sur le substrat polymère, et le film électroconducteur transparent de l'oxyde métallique disposé sur le film électroconducteur organique, le film électroconducteur transparent de l'oxyde métallique étant fissuré. Le film électroconducteur transparent est en outre caractérisé par le fait que les caractéristiques électriques de l'interface entre le film électroconducteur transparent de l'oxyde métallique et le film électroconducteur organique sont basées sur un mécanisme de courant commandé par charge d'espace dans lequel un courant circule en proportion de la 1,65e à 2,23e puissance de tension ajoutée.
(JA) 本発明の目的は、金属酸化物透明導電膜と同等の導電性と耐摩耗性、耐摩擦性を有し、かつ優れた屈曲性を有する透明導電膜を提供することにある。 本発明は、高分子基板上に、有機導電膜および金属酸化物透明導電膜が積層されてなるフレキシブル透明導電膜において、該高分子基板上に該有機導電膜が形成され、該有機導電膜上に該金属酸化物透明導電膜が形成され、該金属酸化物透明導電膜に亀裂が形成されていることを特徴とするフレキシブル透明導電膜である。さらに、本発明に係るフレキシブル透明導電膜は、金属酸化物透明導電膜と有機導電膜との界面の電気特性が、付加された電圧の1.65~2.23乗に比例して電流が流れる空間電荷制限電流機構であることを特徴とする。   
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)