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1. (WO2009037814) ÉLÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/037814    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/002496
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 10.09.2008
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01)
Déposants : NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP) (Tous Sauf US).
DEGUCHI, Hiroshige [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Tsukasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : DEGUCHI, Hiroshige; (JP).
HAYASHI, Tsukasa; (JP)
Mandataire : MATSUYAMA, Takao; Intelix International, Aqua Dojima West 4-16, Dojimahama 1-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-245287 21.09.2007 JP
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光起電力素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic element (10) has a structure having a p-layer (3), an i-layer (4), an n-layer (5), and an electrode (6) which are successively layered on an insulating substrate (1) on which a transparent conductive film (2) is formed. The p-layer (3) is formed by a p-type a-Si:H. The n-layer (5) is formed by an n-type a-Si:H. The i-layer (4) is formed by a plurality of amorphous thin films (41) and a plurality of crystalline thin films (42). The amorphous thin films (41) and the crystalline thin films (42) are layered substantially in a vertical direction against the insulating substrate (1) so that the amorphous thin films (41) are brought into contact with the crystalline thin films (42). The amorphous thin films (41) are formed by the i-type a-Si:H and the crystalline thin films (42) are formed by the i-type poly-Si. The i-layer (4) has a film thickness of 300 nm to 1000 nm. Each of the amorphous thin films (41) and the crystalline thin films (42) has a film thickness of 10 nm to 20 nm.
(FR)L'invention concerne un élément photovoltaïque (10) qui possède une structure ayant une couche p (3), une couche i (4), une couche n (5), et une électrode (6) qui sont disposées en couches successives sur un substrat isolant (1) sur lequel un film conducteur transparent (2) est formé. La couche p (3) est composée d'a-Si:H de type p. La couche n (5) est composée d'a-Si:H de type n. La couche i (4) est composée d'une pluralité de films minces amorphes (41) et d'une pluralité de films minces cristallins (42). Les films minces amorphes (41) et les films minces cristallins (42) sont disposés en couche sensiblement dans une direction verticale contre le substrat isolant (1) de sorte que les films minces amorphes (41) sont amenés en contact avec les films minces cristallins (42). Les films minces amorphes(41) sont composés d'a-Si:H de type i et les films minces cristallins (42) sont composés de poly-Si de type i. La couche i (4) possède une épaisseur de film de 300 nm à 1000 nm. Chacun des films minces amorphes (41) et des films minces cristallins (42) possède une épaisseur de film de 10 nm à 20 nm.
(JA)光起電力素子(10)は、p層(3)、i層(4)、n層(5)および電極(6)を透明導電膜(2)が形成された絶縁基板(1)上に順次積層した構造からなる。p層(3)は、p型a-Si:Hからなり、n層(5)は、n型a-Si:Hからなる。i層(4)は、複数の非晶質薄膜(41)と複数の結晶薄膜(42)とからなる。そして、複数の非晶質薄膜(41)および複数の結晶薄膜(42)は、非晶質薄膜(41)および結晶薄膜(42)が相互に接するように絶縁基板(1)に略垂直な方向に積層される。非晶質薄膜(41)は、i型a-Si:Hからなり、結晶薄膜(42)は、i型poly-Siからなる。そして、i層(4)は、300nm~1000nmの膜厚を有し、非晶質薄膜(41)および結晶薄膜(42)の各々は、10nm~20nmの膜厚を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)