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1. (WO2009037617) DISPOSITIF DE MODELAGE DE FAISCEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/037617    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/053681
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 12.09.2008
CIB :
G02F 1/29 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
VAN BOMMEL, Ties [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
HIKMET, Rifat, A., M. [CY/NL]; (NL) (US Seulement).
KRAAN, Thomas, C. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
DESSAUD, Nathalie, M., D. [FR/NL]; (NL) (US Seulement).
STRÖMER, Jan, F. [DE/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : VAN BOMMEL, Ties; (NL).
HIKMET, Rifat, A., M.; (NL).
KRAAN, Thomas, C.; (NL).
DESSAUD, Nathalie, M., D.; (NL).
STRÖMER, Jan, F.; (NL)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J., J.; c/o High Tech Campus Building 44, NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
07116843.9 20.09.2007 EP
Titre (EN) BEAM SHAPING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MODELAGE DE FAISCEAU
Abrégé : front page image
(EN)A beam shaping device (1; 50; 60) comprising first (3) and second (4) substrates, a liquid crystal layer (2) sandwiched between the substrates, and a first electrode layer (5; 51) provided on a side of the first substrate (3) facing the liquid crystal layer (2). The beam shaping device is controllable between beam shaping states, each permitting passage of light through the beam shaping device, and further comprises an insulating layer (7) covering the first electrode layer (5; 51) and a second electrode layer (6; 53) provided on top of the insulating layer. The second electrode layer (6; 53) comprises a conductor pattern exposing a portion of the insulating layer (7). The beam shaping device is configured in such a way that application of a voltage (V) between the first (5; 51) and second (6; 53) electrode layers causes liquid crystal molecules comprised in a portion of the liquid crystal layer (2) corresponding to the exposed portion of the insulating layer to tilt in a plane perpendicular to the liquid crystal layer, resulting in a local refractive index gradient, thereby enabling shaping of a beam (8) of light passing through the beam shaping device.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de modelage de faisceau (1; 50; 60) comprenant un premier (3) et un second (4) substrats, une couche de cristaux liquides (2) insérée entre les substrats, et une première couche d'électrode (5; 51) placée sur un bord du premier substrat (3) face à la couche de cristaux liquides (2). Il est possible de régler le dispositif de modelage de faisceau sur plusieurs états de modelage de faisceau, chacun permettant le passage de la lumière à travers le dispositif de modelage de faisceau, et ledit dispositif comprend en outre une couche isolante (7) recouvrant la première couche d'électrode (5; 51) et une seconde couche d'électrode (6; 53) disposée au-dessus de la couche isolante. La seconde couche d'électrode (6; 53) comporte un motif conducteur exposant une partie de la couche isolante (7). Le dispositif de modelage de faisceau est configuré de telle façon que l'application d'une tension (V) entre la première couche d'électrode (5; 51) et la seconde couche d'électrode (6; 53) provoque l'inclinaison latérale des molécules de cristal liquide, comprises dans une partie de la couche de cristaux liquides (2) correspondant à la partie exposée de la couche isolante, dans un plan perpendiculaire à la couche de cristaux liquides, ce qui conduit à un gradient local d'indice de réfraction et permet ainsi le modelage d'un faisceau (8) de lumière passant à travers le dispositif de modelage de faisceau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)