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1. (WO2009037119) STRUCTURE DE FILM DIÉLECTRIQUE À MOTIF IMPRIMABLE OBTENUE PAR UN PROCÉDÉ LITHOGRAPHIQUE PERFECTIONNÉ, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LADITE STRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/037119    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/061642
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 03.09.2008
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour, Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
LIN, Qinghuang [CN/US]; (US) (US Seulement).
NEUMAYER, Deborah, Ann [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIN, Qinghuang; (US).
NEUMAYER, Deborah, Ann; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited, Intellectual Property Law, Hursley Park, Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
11/858,636 20.09.2007 US
Titre (EN) PATTERNABLE DIELECTRIC FILM STRUCTURE WITH IMPROVED LITHOGRAPHY AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) STRUCTURE DE FILM DIÉLECTRIQUE À MOTIF IMPRIMABLE OBTENUE PAR UN PROCÉDÉ LITHOGRAPHIQUE PERFECTIONNÉ, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LADITE STRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of fabricating an interconnect structure in which a patternable low-k material replaces the need for utilizing a separate photoresist and a dielectric material. Specifically, this invention relates to a simplified method of fabricating single-damascene and dual-damascene low-k interconnect structures with at least one patternable low-k dielectric and at least one inorganic antireflective coating. In general terms, a method is provided that includes providing at least one patternable low-k material on a surface of an inorganic antireflective coating that is located atop a substrate, said inorganic antireflective coating is vapor deposited and comprises atoms of M, C and H wherein M is at least one of Si, Ge, B, Sn, Fe, Ta, Ti, Ni, Hf and La; forming at least one interconnect pattern within the at least one patternable low-k material; and curing the at least one patternable low-k material. The inventive method can be used to form dual-damascene interconnect structures as well as single-damascene interconnect structures.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure d'interconnexion, dans laquelle un matériau à faible constante diélectrique à motif imprimable remplace l'utilisation d'une photorésine séparée et d'un corps diélectrique. Spécifiquement, cette invention a pour objet un procédé simplifié destiné à fabriquer des structures d'interconnexion à faible constante diélectrique de type damascène unique et de type damascène double, lesdites structures étant recouvertes d'au moins un élément diélectrique à faible constante diélectrique à motif imprimable et d'au moins une couche antiréfléchissante inorganique. En termes généraux, cette invention concerne un procédé consistant à disposer au moins un matériau à faible constante diélectrique à motif imprimable sur une surface d'une couche antiréfléchissante inorganique située sur un substrat, cette couche étant déposée en phase vapeur et comprenant des atomes M, C et H, M étant au moins un élément parmi Si, Ge, B, Sn, Fe, Ta, Ti, Ni, Hf et La. Puis, ce procédé consiste à former au moins un motif d'interconnexion dans le matériau à faible constante diélectrique à motif imprimable et à durcir ce matériau. Le procédé peut être utilisé pour former des structures d'interconnexion de type damascène double, ainsi que des structures d'interconnexion de type damascène unique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)