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1. (WO2009037117) STRUCTURES D'INTERCONNEXION DOTÉES DE DÉLIECTRIQUES À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE À MOTIF IMPRIMABLE, ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/037117    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/061639
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 03.09.2008
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour, Portsmouth, Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
LIN, Qinghuang [CN/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Shyng-Tsong [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIN, Qinghuang; (US).
CHEN, Shyng-Tsong; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited, Intellectual Property Law, Hursley Park, Winchester, Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
11/858,624 20.09.2007 US
Titre (EN) INTERCONNECT STRUCTURES WITH PATTERNABLE LOW-K DIELECTRICS AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) STRUCTURES D'INTERCONNEXION DOTÉES DE DÉLIECTRIQUES À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE À MOTIF IMPRIMABLE, ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an interconnect structure in which a patternable low-k material is employed as an interconnect dielectric material. Specifically, this invention relates to single- damascene and dual-damascene low-k interconnect structures with at least one patternable low-k dielectric. In general terms, the interconnect structure includes at least one patterned and cured low-k dielectric material located on a surface of a substrate. The at least one cured and patterned low-k material has conductively filled regions embedded therein and typically, but not always, includes Si atoms bonded to cyclic rings via oxygen atoms. The present invention also provides a method of forming such interconnect structures in which no separate photoresist is employed in patterning the patterned low-k material.
(FR)La présente invention concerne une structure d'interconnexion dans laquelle un matériau à faible constante diélectrique, à motif imprimable est utilisé en tant que matériau diélectrique d'interconnexion. Spécifiquement, cette invention a pour objet des structures d'interconnexion à faible constante diélectrique de type damascène unique et de type damascène double, dotées d'au moins un diélectrique à faible constante diélectrique, à motif imprimable. En termes généraux, la structure d'interconnexion comprend au moins un matériau diélectrique à constante diélectrique faible, durci et à motif imprimé qui est situé sur une surface d'un substrat. Ce matériau diélectrique à constante diélectrique faible, durci et à motif imprimé a des régions remplies conductrices incorporées dans ledit matériau et il contient en général mais pas toujours des atomes Si liés à des anneaux cycliques par le biais d'atomes d'oxygène. Cette invention concerne également un procédé de formation de ces structures d'interconnexion, dans lesquelles aucune photorésine séparée n'est employée lors de la formation de motif du matériau à faible constante diélectrique à motif imprimé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)