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1. (WO2009036904) LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/036904    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/007324
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 02.09.2008
CIB :
H01S 5/12 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (Tous Sauf US).
SARTORIUS, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KREISSL, Jochen [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TROPPENZ, Ute [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BORNHOLDT, Carsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MÖHRLE, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SARTORIUS, Bernd; (DE).
KREISSL, Jochen; (DE).
TROPPENZ, Ute; (DE).
BORNHOLDT, Carsten; (DE).
MÖHRLE, Martin; (DE)
Mandataire : PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Joachimstaler Strasse 10-12, 10719 Berlin (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 044 848.3 13.09.2007 DE
Titre (DE) HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES HALBLEITERLASERS
(EN) SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR OPERATING A SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser, umfassend einen als DFB-Laser ausgeführten aktiven Bereich (1) sowie einen mit dem aktiven Bereich (1) optischen gekoppelten passiven Resonatorabschnitt (2), wobei der aktive Bereich (1) neben einem ersten Abschnitt (7) mit einem Bragg-Gitter einen zweiten Abschnitt (8) mit einem vom ersten Bragg-Gitter verschiedenen zweiten Bragg-Gitter aufweist und wobei sich die beiden Bragg-Gitter so voneinander unterscheiden, dass sich eine und nur eine von Hauptmoden eines DFB-Modenspektrums des ersten Abschnitts (7) mit einer von zwei Hauptmoden eines DFB-Modenspektrums des zweiten Abschnitts (8) überlappt. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben eines derartigen Halbleiterlasers.
(EN)The present invention relates to a semiconductor laser, comprising an active region (1) which is designed as a DFB laser, and a passive resonator section (2), which is optically coupled to the active region (1), wherein the active region (1) has, in addition to a first section (7) with a Bragg grating, a second section (8) with a second Bragg grating which differs from the first Bragg grating, and wherein the two Bragg gratings differ from one another such that one and only one main mode of a DFB mode spectrum of the first section (7) overlaps with one of two main modes of a DFB mode spectrum of the second section (8). The invention also relates to a method for operating a semiconductor laser of this type.
(FR)La présente invention concerne un laser à semi-conducteur, comportant une zone active (1) exécutée sous forme d'un laser DFB (à rétroaction distribuée) (1) ainsi qu'un segment de résonateur passif (2) couplé optiquement avec la zone active (1), la zone active (1) présentant, à côté d'un premier segment (7) comportant un réseau de Bragg, un deuxième segment (8) comportant un deuxième réseau de Bragg différent du premier réseau de Bragg et les deux réseaux de Bragg se différenciant l'un de l'autre, de sorte qu'un et un seul mode parmi des modes principaux d'un spectre de modes DFB du premier segment (7) soit recouvert par un des deux modes principaux d'un spectre de modes DFB du deuxième segment (8). L'invention concerne en outre un procédé de fonctionnement d'un tel type de laser à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)