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1. (WO2009036642) COUCHE CONDUCTRICE TRANSPARENTE DE PUCE DEL A BASE DE GAN ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/036642    N° de la demande internationale :    PCT/CN2007/070752
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 21.09.2007
CIB :
H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : PODIUM PHOTONICS (GUANGZHOU) LTD. [CN/CN]; No.16 Jun Gong Road, East District, Guangzhou Economic and Technological Development District Guangzhou Guangdong 510530 (CN) (Tous Sauf US).
CHAN, Philip [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
TONG, Keny [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Raymond [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : CHAN, Philip; (CN).
TONG, Keny; (CN).
WANG, Raymond; (CN)
Mandataire : BEIJING HUIZE INTELLECTUAL PROPERTY LAW LLC; WU, Chenyan A18, Horizon International Tower, No.6, Zhichun Road, Haidian District Beijing 100088 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE LAYER OF GAN BASED LED CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) COUCHE CONDUCTRICE TRANSPARENTE DE PUCE DEL A BASE DE GAN ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
(ZH) 氮化镓基发光二极管芯片透明导电层及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A transparent conductive layer (6) of a GaN based LED chip comprises a one of Al, In and Ga doped ZnO transparent conductive layer (6) formed on a P-type GaN layer (5). The method of manufacturing the transparent conductive layer (6) comprises the following steps: (A) rinsing chemically a epitaxial wafer of the GaN based LED outside of a furnace; (B) rinsing at a high temperature in a MOCVD reactive furnace; (C) using Ar gas as carrier gas, inputting oxygen, Zn, and one of Al, In and Ga metal, controlling mol rate of oxygen and Zn to 100˜400:1, controlling mol rate of Zn and the metal to 3˜16:1, growing the transparent conductive layer (6) on the P-type GaN layer (5); (D) annealing the transparent conductive layer (6).
(FR)L'invention concerne une couche conductrice transparente (6) de puce DEL à base de GaN, comprenant une couche conductrice transparente ZnO dopée à Al, In ou Ga (6) formée sur une couche GaN de type P (5). L'invention concerne également un procédé de fabrication associé, consistant : (A) à rincer chimiquement une plaquette épitaxiale de la DEL à base de GaN en dehors d'un four ; (B) à effectuer un rinçage à haute température dans un four à réaction par dépôt chimique en phase vapeur métallo-organique ; (C) à utiliser un gaz Ar comme gaz porteur, à introduire de l'oxygène, Zn et un métal Al, In ou Ga, à réguler le rapport molaire oxygène/Zn à 100~400:1, à réguler le rapport molaire Zn/métal à 3~16:1, à faire croître la couche conductrice transparente (6) sur la couche GaN de type P (5) ; et (D) à recuire la couche conductrice transparente (6).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)