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1. (WO2009036604) ISOLEMENT DE BOÎTIERS LPCC/QFN PAR GRAVURE DE BANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/036604    N° de la demande internationale :    PCT/CN2007/002782
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 20.09.2007
CIB :
H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : ASAT LIMITED [CN/CN]; QPL Industrial Building, 14th Floor, 138 Texaco Road, Tsuen Wan, New Territories, Hong Kong (CN) (Tous Sauf US).
LI, Tung Lok [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
TSANG, Kwok Cheung [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
KWAN, Kin Pui [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Tung Lok; (CN).
TSANG, Kwok Cheung; (CN).
KWAN, Kin Pui; (CN)
Mandataire : CHINA SINDA INTELLECTUAL PROPERTY LTD.; B11th Floor, Focus Place, 19 Financial Street, Xicheng District, Beijing 100032 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ETCHING ISOLATION OF LPCC/QFN STRIP
(FR) ISOLEMENT DE BOÎTIERS LPCC/QFN PAR GRAVURE DE BANDE
Abrégé : front page image
(EN)Various structures and fabrication methods for leadless plastic chip carrier (QFN) packages which utilize carriers in strip format are provided, wherein the leads (or terminals)(210a, 210b) are formed to be electrically isolated from one another within each unit and in which the units are formed to be electrically isolated from one another within the strip (100) using chemical etching techniques.
(FR)Selon l'invention, diverses structures et procédés de fabrication pour des boîtiers (QFN) de portes puces en plastique sans fil qui utilisent des porteurs en format de bande sont utilisés, les fils (ou les bornes) (210a, 210b) étant formés pour être isolés électriquement l'un de l'autre dans chaque unité et dans lesquelles les unités sont formées pour être isolées électriquement l'une de l'autre à l'intérieur de la bande (100) en utilisant des techniques de gravure chimique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)