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1. (WO2009036273) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR MÉTALLIQUE APPAUVRI HORIZONTALEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/036273    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/076169
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 12.09.2008
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : ARIZONA BOARD OF REGENTS FOR AND ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY [US/US]; 1475 North Scottsdale Road, Skysong-Suite 200, Scottsdale, AZ 85257 (US) (Tous Sauf US).
ERVIN, Joseph, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
THORNTON, Trevor, John [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ERVIN, Joseph, E.; (US).
THORNTON, Trevor, John; (US)
Mandataire : WITHROW, Benjamin, S.; Withrow & Terranova, Pllc, 100 Regency Forest Drive, Suite 160, Cary, NC 27518 (US)
Données relatives à la priorité :
60/971,778 12.09.2007 US
Titre (EN) HORIZONTALLY DEPLETED METAL SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR MÉTALLIQUE APPAUVRI HORIZONTALEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a horizontally depleted Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET). A drain region, a source region, and a channel region are formed in the device layer such that the drain region and the source region are spaced apart from one another and the channel region extends between the drain region and the source region. First and second gate contacts are formed in the device layer on either side of the channel region, and as such, the first and second gate contacts will also reside between opposing portions of the source and drain regions. With this configuration, voltages applied to the first and second gate contacts effectively control vertical depletion regions, which form on either side of the channel region.
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ à semi-conducteur métallique appauvri horizontalement (MESFET). Une région de drain, une région de source et une région de canal sont formées dans la couche du dispositif de telle sorte que la région de drain et la région de source sont espacées l'une de l'autre et que la région de canal s'étend entre la région de drain et la région de source. Des premier et second contacts de grille sont formés dans la couche du dispositif de part et d'autre de la région de canal, et, tels quels, les premier et second contacts de grille résideront également entre des parties opposées des régions de source et de drain. Avec cette configuration, des tensions appliquées aux premier et second contacts de grille commandent efficacement les régions d'appauvrissement verticales, qui se forment de part et d'autre de la région de canal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)