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1. (WO2009036266) COMMUTATEURS BIDIRECTIONNELS POUR NITRURE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/036266    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/076160
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 12.09.2008
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : TRANSPHORM INC. [US/US]; 107 South La Patera Lane, Goleta, California 93117 (US) (Tous Sauf US).
HONEA, James [US/US]; (US) (US Seulement).
PARIKH, Primit [US/US]; (US) (US Seulement).
WU, Yifeng [CN/US]; (US) (US Seulement).
BEN-YAACOV, Ilan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HONEA, James; (US).
PARIKH, Primit; (US).
WU, Yifeng; (US).
BEN-YAACOV, Ilan; (US)
Mandataire : ZANOCCO, Jennifer, A.; Fish & Richardson P.C., P.O. Box 1022, Minneapolis, Minnesota 55440 (US)
Données relatives à la priorité :
60/971,721 12.09.2007 US
Titre (EN) III-NITRIDE BIDIRECTIONAL SWITCHES
(FR) COMMUTATEURS BIDIRECTIONNELS POUR NITRURE III
Abrégé : front page image
(EN)Bidirectional switches are described. The bidirectional switches include first and a second III-N based high electron mobility transistor. In some embodiments, the source of the first transistor is in electrical contact with a source of the second transistor. In some embodiments, the drain of the first transistor is in electrical contact with a drain of the second transistor. In some embodiments, the two transistors share a drift region and the switch is free of a drain contact between the two transistors. Matrix converters can be formed from the bidirectional switches.
(FR)La présente invention concerne des commutateurs bidirectionnels comprenant des premier et second transistors à mobilité d'électrons élevée à base de III-N. Dans certains modes de réalisation, la source du premier transistor est en contact électrique avec une source du second transistor. Dans certains modes de réalisation, le drain du premier transistor est en contact avec un drain du second transistor. Dans certains modes de réalisation, les deux transistors partagent une région de dérive et le commutateur est dépourvu d'un contact de drain entre les deux transistors. Des convertisseurs de matrice peuvent être formés à partir des commutateurs bidirectionnels.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)