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1. (WO2009035866) REVÊTEMENTS DE PROTECTION PAR ROTATION POUR LE TRAITEMENT PAR GRAVURE HUMIDE DE SUBSTRATS MICROÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/035866    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/074773
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 29.08.2008
CIB :
C08L 25/04 (2006.01), C09D 125/04 (2006.01)
Déposants : BREWER SCIENCE INC. [US/US]; 2401 Brewer Drive, Rolla, MO 65401 (US) (Tous Sauf US).
XU, Gu [US/US]; (US) (US Seulement).
YESS, Kimberly, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
FLAIM, Tony, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XU, Gu; (US).
YESS, Kimberly, A.; (US).
FLAIM, Tony, D.; (US)
Mandataire : BORNMAN, Tracy, L.; Hovey Williams LLP, 10801 Mastin Blvd. Suite 1000, 84 Corporate Woods, Overland Park, KS 66210 (US)
Données relatives à la priorité :
11/855,036 13.09.2007 US
Titre (EN) SPIN-ON PROTECTIVE COATINGS FOR WET-ETCH PROCESSING OF MICROELECTRONIC SUBSTRATES
(FR) REVÊTEMENTS DE PROTECTION PAR ROTATION POUR LE TRAITEMENT PAR GRAVURE HUMIDE DE SUBSTRATS MICROÉLECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)New protective coating layers for use in wet etch processes during the production of semiconductor and MEMS devices are provided. The layers include a primer layer, a first protective layer, and an optional second protective layer. The primer layer preferably comprises an organo silane compound in a solvent system. The first protective layer includes thermoplastic copolymers prepared from styrene, acrylonitrile, and compatible compounds such as monomers, oligomers, and polymers comprising epoxy groups; poly(styrene-co-allyl alcohol); and mixtures thereof. The second protective layer comprises a highly halogenated polymer such as a chlorinated polymer which may or may not be crosslinked upon heating.
(FR)La présente invention concerne de nouvelles couches protectrices de revêtement destinées à être utilisées pour des procédés de gravure humide pendant la production de dispositifs semiconducteurs et MEMS. Les couches incluent une couche de fond, une première couche protectrice, et une seconde couche protectrice éventuelle. La couche de fond comprend de préférence un composé organo-silane dans un système de solvant. La première couche protectrice inclut un copolymère thermoplastique préparé à partir de styrène, de l'acrylonitrile et des composés compatibles tels que des monomères, oligomères et polymères contenant des groupes époxy; des poly(alcool de styrène-co-allylique); et des mélanges de ces composés. La seconde couche protectrice comprend un polymère hautement halogéné tel qu'un polymère chloré qui peut ou peut ne pas être réticulé lors d'un chauffage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)