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1. (WO2009035841) DÉTERMINATION D'INFORMATIONS CONCERNANT UN DOPANT À L'AIDE D'UN MICROSCOPE IONIQUE À L'HÉLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/035841    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/074143
Date de publication : 19.03.2009 Date de dépôt international : 25.08.2008
CIB :
G01N 23/225 (2006.01)
Déposants : ALIS CORPORATION [US/US]; One Corporation Way, Peabody, Massachusetts 01960 (US) (Tous Sauf US).
NOTTE IV, John A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NOTTE IV, John A.; (US)
Mandataire : DALEY, Sean P.; Fish & Richardson P.C., P.O. Box 1022, Minneapolis, MN 55440-1022 (US)
Données relatives à la priorité :
11/853,471 11.09.2007 US
Titre (EN) DETERMINING DOPANT INFORMATION BY USE OF A HELIUM ION MICROSCOPE
(FR) DÉTERMINATION D'INFORMATIONS CONCERNANT UN DOPANT À L'AIDE D'UN MICROSCOPE IONIQUE À L'HÉLIUM
Abrégé : front page image
(EN)A helium ion microscope is used for determining dopant information of a sample. Such information embraces the dopant concentration and dopant location. Concerning the dopant location it is possible to determine lateral dimensions of specific areas as well as depth profiles with the disclosed method. The helium ion microscope is adapted to detect in an energy- and angle resolved manner different types of particles, such as scattered heliums ions, secondary electrons, scattered helium atoms. Furthermore, the energy of the incident helium ion beam and its incident angle with respect to the surface are varied.
(FR)L'invention consiste à utiliser un microscope ionique à l'hélium pour déterminer des informations concernant un dopant d'un échantillon. De telles informations comprennent la concentration du dopant et la localisation du dopant. En ce qui concerne la localisation du dopant il est possible de déterminer avec le procédé de la présente invention les dimensions latérales de zones spécifiques ainsi que les profils de profondeur. Le microscope ionique à l'hélium est adapté pour détecter avec une résolution en énergie et en angle différents types de particules, tels que des ions d'hélium diffusés, des électrons secondaires, des atomes d'hélium diffusés. En outre, on fait varier l'énergie du faisceau d'ions d'hélium incident et son angle d'incidence par rapport à la surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)